| |
Новотоцкий-Власов Юрий Фёдорович
|
|
|
доктор физико-математических наук (1976) |
| Специальность ВАК: |
01.04.10 (физика полупроводников) |
| Дата рождения: |
17.01.1930 |
Научная биография: |
Новотоцкий-Власов, Юрий Федорович.
Исследование природы поверхностных центров рекомбинации на германии : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.00.00. - Москва, 1964. - 206 с.
Новотоцкий-Власов, Юрий Федорович.
Исследование влияния адсорбции на спектр электронных состояний реальной поверхности германия, кремния и антимонида индия : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10. - Москва, 1976. - 465 с. |
| |
|
| Основные публикации: |
- Экспериментальное определение равновесных параметров доминирующих глубоких уровней в антимониде индия / О. С. Шемелина, Ю. Ф. Новотоцкий-Власов. - Новосибирск : ИФП, 1989. - 54 с. - (Препр. АН СССР, Сиб. отд., Ин-т физики полупроводников; 41).
|
|
 |
https://www.mathnet.ru/rus/person163681 |
 |
Список публикаций на Google Scholar |
| ИСТИНА |
https://istina.msu.ru/workers/17163133
|
|
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
О. С. Шемелина, Ю. Ф. Новотоцкий-Власов, “Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1015–1023 |
|
1986 |
| 2. |
Ф. С. Миронов, Ю. Ф. Новотоцкий-Власов, “О вкладе ЭДС Дембера в конденсаторную фотоэдс”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1125–1127 |
|
|
| Организации |
|