|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
П. П. Фастыковский, М. А. Глауберман, “Изменение электрофизических свойств кремниевых МОП-структур с наноразмерным окислом кремния под воздействием паров воды”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1070–1074   ; P. P. Fastykovsky, M. A. Glauberman, “Variations in the electrical properties of silicon MOS structures with a nanodimensional silicon oxide under the effect of water vapors”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1041–1045 |
1
|
|
1985 |
| 2. |
В. И. Шаховцов, И. М. Викулин, М. А. Глауберман, Н. А. Канищева, В. В. Козел, В. А. Прохоров, “К вопросу о радиационной стойкости кремниевых магниточувствительных
транзисторов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1247–1248  |
|
1984 |
| 3. |
И. М. Викулин, М. А. Глауберман, В. В. Козел, Н. А. Канищева, “Исследование двухколлекторных магнитотиристоров”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 547–550 |
|
