|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Р. В. Левин, И. П. Сошников, “Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 265–269  |
| 2. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. В. Малевская, В. В. Забродский, И. П. Сошников, “Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 45–49  |
|
2023 |
| 3. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. В. Илькив, А. В. Вершинин, И. П. Сошников, “Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 530–533 |
|
2022 |
| 4. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Токарев, И. П. Сошников, “Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1082–1087 |
|
2019 |
| 5. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 |
2
|
|
2018 |
| 6. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 |
3
|
| 7. |
М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников, “Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 89–92 ; M. E. Boiko, M. D. Sharkov, L. B. Karlina, A. M. Boiko, S. G. Konnikov, “X-ray study of the superstructure in heavily doped porous indium phosphide”, Semiconductors, 52:1 (2018), 84–87 |
1
|
|
2017 |
| 8. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов, “Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, A. B. Smirnov, “Formation of a $p$-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters”, Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671 |
1
|
| 9. |
А. С. Власов, Л. Б. Карлина, Ф. Э. Комисаренко, А. В. Анкудинов, “Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 611–614 ; A. S. Vlasov, L. B. Karlina, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Modification of the surface of GaAs and observation of surface enhanced Raman scattering after the diffusion of indium”, Semiconductors, 51:5 (2017), 582–585 |
1
|
|
2013 |
| 10. |
А. С. Власов, В. П. Хвостиков, Л. Б. Карлина, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Е. П. Марухина, В. М. Андреев, “Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)”, ЖТФ, 83:7 (2013), 106–110 ; A. S. Vlasov, V. P. Khvostikov, L. B. Karlina, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, E. P. Marukhina, V. M. Andreev, “Spectral-splitting concentrator photovoltaic modules based on AlGaAs/GaAs/GaSb and GaInP/InGaAs(P) solar cells”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1034–1038 |
9
|
|
1985 |
| 11. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569  |
|
