Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Брылевский В И


https://www.mathnet.ru/rus/person167581
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. М. С. Иванов, В. И. Брылевский, П. Б. Родин, “Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  32–35  mathnet  elib; M. S. Ivanov, V. I. Brylevsky, P. B. Rodin, “Wave effects in a coaxial transmission line under subnanosecond switching of a high-voltage diode in the delayed impact-ionization breakdown mode”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 661–664 4
2018
2. В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  66–73  mathnet  elib; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 4
2015
3. В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  1–7  mathnet  elib; V. I. Brylevsky, A. V. Rozhkov, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Anomalous dynamics of the residual voltage across a gallium-arsenide diode upon subnanosecond avalanche switching”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 307–309 14
2014
4. В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$$n$-переходами”, Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  80–87  mathnet  elib; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Subnanosecond avalanche switching in high-voltage silicon diodes with abrupt and graded $p$$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 356–360 13
1984
5. В. И. Брылевский, М. Е. Левинштейн, И. Г. Чашников, “Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров”, ЖТФ, 54:1 (1984),  124–130  mathnet  isi