|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, С. В. Воробьев, А. Ю. Плеханов, И. К. Терновых, А. Д. Роенков, М. В. Пузык, Е. И. Шабунина, Е. В. Гущина, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Н. Смирнов, С. Ю. Приображенский, Е. М. Танклевская, “Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции”, Письма в ЖТФ, 51:3 (2025), 13–16   |
|
2024 |
| 2. |
В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, В. В. Козловский, “Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2193–2196 |
| 3. |
И. А. Елисеев, Г. В. Осоченко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, М. В. Рахлин, Л. В. Котова, К. А. Гасникова, П. А. Алексеев, Ю. Э. Китаев, “Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2$H$-$\alpha$-In$_2$Se$_3$ различной толщины”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2189–2192 |
| 4. |
В. Ю. Давыдов, Ю. Э. Китаев, Н. С. Аверкиев, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Д. К. Нельсон, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, “Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2185–2188 |
| 5. |
Ф. Ф. Мурзаханов, Г. В. Мамин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. А. Солтамов, И. Н. Грачева, “Центры окраски с воспроизводимыми спектральными характеристиками в гексагональном нитриде бора (hBN), облученном протонами”, Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1820–1823 |
| 6. |
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373 ; K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseyev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Local diagnostics of spin defects in irradiated sic schottky diodes”, JETP Letters, 120:5 (2024), 354–359 |
| 7. |
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, П. А. Гостищев, Д. О. Грень, А. Д. Фурасова, Д. С. Саранин, Е. И. Теруков, “Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs$_{0.2}$FA$_{0.8}$PbI$_{2.93}$Cl$_{0.07}$ для перовскитных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 629–635 |
| 8. |
Г. В. Вознюк, И. Н. Григоренко, А. С. Лила, М. И. Митрофанов, А. В. Бабичев, А. Н. Смирнов, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, В. Ю. Давыдов, А. Ф. Цацульников, В. П. Евтихиев, “Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 552–555 |
| 9. |
Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, Д. А. Курдюков, “Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии”, Письма в ЖТФ, 50:3 (2024), 15–19 |
|
2023 |
| 10. |
И. А. Елисеев, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, С. П. Лебедев, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. А. Лебедев, Е. В. Гущина, Е. М. Танклевская, Е. И. Шабунина, М. В. Пузык, Н. М. Шмидт, “Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2216–2219 |
| 11. |
М. Г. Мынбаева, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лаврентьев, “Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2125–2127 |
| 12. |
Е. В. Балашова, А. А. Левин, С. И. Павлов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. В. Фокин, А. Н. Старухин, Д. А. Курдюков, Д. А. Еуров, Б. Б. Кричевцов, “Синтез и исследование наноструктур на основе асбестов, кремнеземов и боратных стекол с включением 2-метилбензимидазола в систему нанотрубок или нанопор”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2083–2087 |
| 13. |
А. А. Дукин, Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, А. Н. Смирнов, Д. А. Курдюков, В. Г. Голубев, “Гибридные сферические микрорезонаторы с люминесцентными органическими красителями FITC и DCM”, Физика твердого тела, 65:6 (2023), 1065–1070 |
| 14. |
И. А. Елисеев, Е. В. Единач, О. П. Казарова, А. Н. Смирнов, “Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния $6H/15R$”, Физика твердого тела, 65:6 (2023), 1031–1036 |
1
|
| 15. |
В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Ю. Э. Китаев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Лебедев, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. В. Козловский, “Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 573–576 |
| 16. |
М. Н. Батаев, М. С. Кузнецова, Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, С. Ю. Вербин, И. В. Игнатьев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. В. Колобкова, “Электрон-фононное взаимодействие в нанокристаллах перовскитов во фторфосфатном стекле”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 313–320 |
|
2022 |
| 17. |
Ф. Ф. Мурзаханов, И. Э. Мумджи, Г. В. Мамин, Р. В. Юсупов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, М. В. Музафарова, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, “Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами”, Физика твердого тела, 64:8 (2022), 1033–1037 |
| 18. |
М. С. Кузнецова, М. Н. Батаев, М. А. Чукеев, Н. Д. Ростовцев, С. Ю. Вербин, И. В. Игнатьев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Е. В. Колобкова, “Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов CsPbBr$_3$ во фторфосфатной стеклянной матрице”, Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022), 1739–1744 |
1
|
| 19. |
И. А. Елисеев, Е. А. Гущина, С. А. Клотченко, А. А. Лебедев, Н. М. Лебедева, С. П. Лебедев, А. В. Нащекин, В. Н. Петров, М. В. Пузык, А. Д. Роенков, А. Н. Смирнов, Е. М. Танклевская, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1137–1143 |
| 20. |
М. Г. Мынбаева, Д. Г. Амельчук, А. Н. Смирнов, И. П. Никитина, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1094–1098 |
| 21. |
М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. Г. Талалаев, “Оптические свойства нановискеров Cu$_2$O”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1075–1081 |
| 22. |
Е. Н. Мохов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, С. С. Нагалюк, “Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1011–1015 |
| 23. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. В. Королева, Е. В. Жижин, С. В. Лебедев, “Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 659–666 |
| 24. |
А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 225–228 |
| 25. |
Д. А. Курдюков, Д. А. Еуров, М. К. Рабчинский, Д. А. Кириленко, М. М. Бржезинская, С. Д. Савельев, А. Н. Смирнов, В. Г. Голубев, “Белые нанолюминофоры на основе модифицированных ионами европия монодисперсных углеродных наноточек”, Письма в ЖТФ, 48:7 (2022), 28–32 |
1
|
|
2021 |
| 26. |
С. А. Грудинкин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Зависимость характеристик узких линий люминесценции в наноалмазах от параметров возбуждения и температуры”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1126–1131 ; S. A. Grudinkin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Dependence of the characteristics of spectrally narrow luminescence lines in nanodiamonds on the excitation and temperature parameters”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1170–1175 |
| 27. |
Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1381–1392 ; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  |
5
|
| 28. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 895–900 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Modification of the electronic properties of the $n$-InP(100) surface with sulfide solutions”, Semiconductors, 55:11 (2021), 844–849 |
1
|
| 29. |
М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 882–889 |
| 30. |
М. Г. Мынбаева, А. Н. Смирнов, К. Д. Мынбаев, “Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 554–558 ; M. G. Mynbaeva, A. N. Smirnov, K. J. Mynbaev, “Optical properties of quasi-bulk gallium-nitride crystals with highly oriented texture structure”, Semiconductors, 55:7 (2021), 617–620 |
1
|
| 31. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, А. В. Швидченко, М. А. Яговкина, В. Г. Голубев, “Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 475–480 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Kurdyukov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, A. V. Shvidchenko, M. A. Yagovkina, V. G. Golubev, “Synthesis of monodisperse MoS$_{2}$ nanoparticles by the template method”, Semiconductors, 55:6 (2021), 525–530 |
|
2020 |
| 32. |
Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, А. А. Дукин, А. Н. Смирнов, В. Г. Голубев, “Люминесцентные свойства углеродных наноточек на поверхности сферического микрорезонатора”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1690–1696 ; D. A. Eurov, E. Yu. Stovpyaga, D. A. Kurdyukov, A. A. Dukin, A. N. Smirnov, V. G. Golubev, “Luminescent properties of carbon nanodots bound to the surface of spherical microresonator”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1898–1904 |
3
|
| 33. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 128–133 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130 |
| 34. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1397 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709 |
| 35. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1388 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677 |
|
2019 |
| 36. |
Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1374–1384 ; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 |
10
|
| 37. |
Р. В. Левин, А. С. Власов, А. Н. Смирнов, Б. В. Пушный, “Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1599–1603 ; R. V. Levin, A. S. Vlasov, A. N. Smirnov, B. V. Pushnii, “High-resistivity gallium antimonide produced by metal–organic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1563–1567 |
1
|
| 38. |
V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1519 ; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 |
1
|
| 39. |
С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1152–1158 ; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 |
9
|
| 40. |
Д. А. Курдюков, Н. А. Феоктистов, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1068–1073 ; D. A. Kurdyukov, N. A. Feoktistov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse submicrometer spherical nanoporous silicon particles”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1048–1053 |
3
|
| 41. |
С. И. Голоудина, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта, А. Н. Смирнов, Д. А. Кириленко, Е. Н. Севостьянов, Г. А. Коноплев, В. В. Андрюшкин, В. П. Склизкова, И. В. Гофман, В. М. Светличный, В. В. Кудрявцев, “Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 50–54 ; S. I. Goloudina, V. V. Luchinin, V. M. Pasyuta, A. N. Smirnov, D. A. Kirilenko, E. N. Sevostyanov, G. A. Konoplev, V. V. Andryushkin, V. P. Sklizkova, I. V. Gofman, V. M. Svetlichnyi, V. V. Kudryavtsev, “Formation of highly conductive and optically transparent multilayer graphene films by carbonization of polyimide Langmuir–Blodgett films”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 471–474 |
1
|
|
2018 |
| 42. |
М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1423–1430 ; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 |
13
|
| 43. |
S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 95–97  |
2
|
| 44. |
П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Л. Б. Матюшкин, А. В. Нежданов, А. Н. Смирнов, Д. О. Филатов, “Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 752–757 ; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, L. B. Matyshkin, A. V. Nezhdanov, A. N. Smirnov, D. O. Filatov, “Study of CsPbBr$_{3}$ nanocrystals and their agglomerates by combined scanning probe microscopy and optical spectrometry”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 858–863 |
2
|
| 45. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1000–1005 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse spherical nanocomposite SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$ particles”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1123–1128 |
4
|
| 46. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 47. |
V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 |
2
|
| 48. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 |
12
|
|
2017 |
| 49. |
В. Г. Голубев, С. А. Грудинкин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Н. А. Феоктистов, “Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2382–2386 ; V. G. Golubev, S. A. Grudinkin, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, N. A. Feoktistov, “New luminescence lines in nanodiamonds obtained by chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2407–2412 |
2
|
| 50. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1598–1603 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev, “The synthesis of clusters of iron oxides in mesopores of monodisperse spherical silica particles”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1623–1628 |
11
|
| 51. |
Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1066–1070 ; D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086 |
| 52. |
В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124 ; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 |
49
|
| 53. |
В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123 ; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 |
2
|
| 54. |
С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 64–72 ; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 |
7
|
| 55. |
С. В. Кидалов, Ф. М. Шахов, А. В. Швидченко, А. Н. Смирнов, В. В. Соколов, М. А. Яговкина, А. Я. Вуль, “Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 21–29 ; S. V. Kidalov, F. M. Shakhov, A. V. Shvidchenko, A. N. Smirnov, V. V. Sokolov, M. A. Yagovkina, A. Ya. Vul', “Growth of diamond microcrystals by the oriented attachment mechanism at high pressure and high temperature”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 53–56 |
10
|
|
2016 |
| 56. |
М. А. Просников, А. Д. Молчанова, Р. М. Дубровин, К. Н. Болдырев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. М. Балбашов, М. Н. Попова, Р. В. Писарев, “Динамика решетки и электронная структура кобальт-титановой шпинели Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2427–2433 ; M. A. Prosnikov, A. D. Molchanova, R. M. Dubrovin, K. N. Boldyrev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. M. Balbashov, M. N. Popova, R. V. Pisarev, “Lattice dynamics and electronic structure of cobalt–titanium spinel Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2516–2522 |
10
|
| 57. |
Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2175–2179 ; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 |
2
|
| 58. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1432–1435 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 |
2
|
| 59. |
Д. А. Курдюков, А. Б. Певцов, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, В. Г. Голубев, “Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1176–1181 ; D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, V. G. Golubev, “Formation of three-dimensional arrays of magnetic clusters NiO, Co$_{3}$O$_{4}$, and NiCo$_{2}$O$_{4}$ by the matrix method”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1216–1221 |
7
|
| 60. |
А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016), 135–139 ; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 |
17
|
| 61. |
Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, “Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1064–1069 ; D. V. Pankin, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, “Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1043–1048 |
4
|
| 62. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
| 63. |
М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716 ; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 |
5
|
| 64. |
Ш. Ш. Шарофидинов, В. И. Николаев, А. Н. Смирнов, А. В. Чикиряка, И. П. Никитина, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 549–552 ; Sh. Sh. Sharofidinov, V. I. Nikolaev, A. N. Smirnov, A. V. Chikiryaka, I. P. Nikitina, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 541–544 |
4
|
|
2015 |
| 65. |
И. Х. Акопян, В. Ю. Давыдов, М. Э. Лабзовская, А. А. Лисаченко, Я. А. Могунов, Д. В. Назаров, Б. В. Новиков, А. И. Романычев, А. Ю. Серов, А. Н. Смирнов, В. В. Титов, Н. Г. Философов, “Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии”, Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1817–1821 ; I. Kh. Akopyan, V. Yu. Davydov, M. È. Labzovskaya, A. A. Lisachenko, Ya. A. Mogunov, D. V. Nazarov, B. V. Novikov, A. I. Romanychev, A. Yu. Serov, A. N. Smirnov, V. V. Titov, N. G. Filosofov, “Photoluminescence spectra of thin ZnO films grown by ALD technology”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1865–1869 |
3
|
| 66. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, И. П. Смирнова, М. М. Кулагина, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 74–81 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. G. Popov, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, I. P. Smirnova, M. M. Kulagina, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 1006–1009 |
|
Обратная связь: