|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, Е. Е. Якимов, “Зависимость интенсивности спонтанной люминесценции наностержней ZnO от их длины”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1080–1085   ; A. N. Gruzintsev, A. N. Redkin, E. E. Yakimov, “Dependence of the spontaneous luminescence intensity in ZnO nanorods on their length”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1060–1065 |
2
|
| 2. |
А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, “Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 26–31 ; A. N. Gruzintsev, A. N. Redkin, “Nonresonance phase conjugation of light at the surface of GaN films upon high-power optical pumping”, Semiconductors, 53:1 (2019), 22–27 |
1
|
|
2014 |
| 3. |
D. M. Sedlovets, A. N. Redkin, “The influence of the ambient conditions on the electrical resistance of graphene-like films”, Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014), 130–133 |
|
2013 |
| 4. |
А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, C. Opoku, М. Н. Шкунов, “Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 516–520 ; A. N. Gruzintsev, A. N. Redkin, C. Opoku, M. N. Shkunov, “Field-effect transistor based on ZnO nanorods with a variable threshold cutoff voltage”, Semiconductors, 47:4 (2013), 538–542 |
3
|
| 5. |
А. Н. Редькин, М. В. Рыжова, Е. Е. Якимов, А. Н. Грузинцев, “Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 216–222 ; A. N. Redkin, M. V. Ryzhova, E. E. Yakimov, A. N. Gruzintsev, “Aligned arrays of zinc oxide nanorods on silicon substrates”, Semiconductors, 47:2 (2013), 252–258 |
16
|
|
