|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках”, ЖТФ, 94:11 (2024), 1843–1847   |
|
2023 |
| 2. |
О. В. Александров, “Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении”, Физика твердого тела, 65:5 (2023), 762–766 |
| 3. |
О. В. Александров, “Модель пробоя МОП-структур по механизму анодного освобождения водорода”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 784–788 |
|
2022 |
| 4. |
О. В. Александров, “Дисперсионный транспорт дырочных поляронов в МОП-структурах после ионизирующего излучения”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1154–1158 |
| 5. |
О. В. Александров, “Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 591–595 |
| 6. |
О. В. Александров, Н. С. Тяпкин, С. А. Мокрушина, В. Н. Фомин, “Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 250–253 |
|
2021 |
| 7. |
О. В. Александров, “Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 559–563 ; O. V. Aleksandrov, “Latent accumulation of surface states in MOS structures after exposure to ionizing radiation”, Semiconductors, 55:6 (2021), 578–582 |
| 8. |
О. В. Александров, “Влияние интенсивности ионизирующего облучения на отклик МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 152–158 ; O. V. Aleksandrov, “The effect of the ionizing radiation intensity on the response of MOS structures”, Semiconductors, 55:2 (2021), 207–213 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
О. В. Александров, “Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1029–1033 ; O. V. Aleksandrov, “Dispersive transport of hydrogen in MOS structures after exposure to ionizing radiation”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1215–1219 |
3
|
| 10. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 189–194 ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model of the effect of the gate bias on MOS structures under ionizing radiation”, Semiconductors, 54:2 (2020), 240–245 |
1
|
| 11. |
О. В. Александров, “Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 181–188 ; O. V. Aleksandrov, “Model of the negative-bias temperature instability of $p$-MOS transistors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 233–239 |
5
|
|
2019 |
| 12. |
Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164 ; N. A. Sobolev, O. V. Aleksandrov, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, A. E. Kalyadin, E. O. Parshin, N. S. Melesov, “Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155 |
1
|
|
2018 |
| 13. |
О. В. Александров, А. Н. Агеев, С. И. Золотарев, “Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1625–1630 ; O. V. Aleksandrov, A. N. Ageev, S. I. Zolotarev, “Charge accumulation in MOS structures with a polysilicon gate under tunnel injection”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1732–1737 |
| 14. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 637–642 ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model for charge accumulation in $n$- and $p$-MOS transistors during tunneling electron injection from a gate”, Semiconductors, 52:6 (2018), 783–788 |
3
|
|
2017 |
| 15. |
О. В. Александров, “Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1105–1109 ; O. V. Aleksandrov, “Influence of traps in silicon dioxide on the breakdown of MOS structures”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1062–1066 |
3
|
|
2016 |
| 16. |
Е. В. Иванова, А. А. Ситникова, О. В. Александров, М. В. Заморянская, “Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 807–810 ; E. V. Ivanova, A. A. Sitnikova, O. V. Aleksandrov, M. V. Zamoryanskaya, “Growth of silicon nanoclusters in thermal silicon dioxide under annealing in an atmosphere of nitrogen”, Semiconductors, 50:6 (2016), 791–794 |
6
|
|
2015 |
| 17. |
О. В. Александров, “Влияние смещения на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 793–798 ; O. V. Aleksandrov, “On the effect of bias on the behavior of MOS structures subjected to ionizing radiation”, Semiconductors, 49:6 (2015), 774–779 |
11
|
| 18. |
Н. А. Соболев, Д. В. Данилов, О. В. Александров, А. С. Лошаченко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, И. Н. Трапезникова, “Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 418–420 ; N. A. Sobolev, D. V. Danilov, O. V. Aleksandrov, A. S. Loshachenko, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, I. N. Trapeznikova, “Formation of donor centers upon the annealing of silicon light-emitting structures implanted with oxygen ions”, Semiconductors, 49:3 (2015), 406–408 |
1
|
|
2014 |
| 19. |
О. В. Александров, “Модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 523–528 ; O. V. Aleksandrov, “Model of the behavior of MOS structures under ionizing irradiation”, Semiconductors, 48:4 (2014), 505–510 |
8
|
|
2011 |
| 20. |
О. В. Александров, Е. Н. Мохов, “Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 721–728 ; O. V. Aleksandrov, E. N. Mokhov, “Model of boron diffusion from gas phase in silicon carbide”, Semiconductors, 45:6 (2011), 705–712 |
5
|
| 21. |
О. В. Александров, А. И. Дусь, “Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 474–480 ; O. V. Aleksandrov, A. I. Dus’, “A model of formation of fixed charge in thermal silicon dioxide”, Semiconductors, 45:4 (2011), 467–473 |
13
|
|
1992 |
| 22. |
О. В. Александров, Б. Н. Шевченко, И. П. Матханова, А. В. Каменец, “Влияние радиационных дефектов, введенных $\alpha$-частицами, на обратные токи кремниевых $p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 868–871 |
|
1989 |
| 23. |
О. В. Александров, Р. Н. Кютт, В. И. Прохоров, Л. М. Сорокин, “Кинетика распада твердого раствора фосфора в диффузионных слоях кремния”, Физика твердого тела, 31:10 (1989), 182–188  |
|
1988 |
| 24. |
О. В. Александров, О. М. Иваненко, В. Р. Карасик, К. В. Киселева, К. В. Мицен, О. Е. Омельяновский, “Структурная неустойчивость высокотемпературного сверхпроводника YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в области низких температур”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2052–2057 |
1
|
|
1984 |
| 25. |
О. В. Александров, Н. В. Ашкинадзе, Р. З. Тумаров, “Комплексообразование при диффузии фосфора в кремний”, Физика твердого тела, 26:2 (1984), 632–634 |
|
Обратная связь: