|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях”, Оптика и спектроскопия, 133:4 (2025), 390–394   |
|
2024 |
| 2. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Падение внешней квантовой эффективности при охлаждении и плотности шума при нагревании в InGaN-ультрафиолетовых светодиодах”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 35–38 |
|
2022 |
| 3. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током”, ЖТФ, 92:2 (2022), 283–290 |
| 4. |
А. М. Иванов, А. В. Клочков, “Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 596–600 |
|
2019 |
| 5. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
8
|
|
2016 |
| 6. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
|
2015 |
| 7. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. С. Коготков, Ю. Т. Ребане, М. В. Вирко, Ю. Г. Шретер, “Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 847–855 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. S. Kogotkov, Yu. T. Rebane, M. V. Virko, Yu. G. Shreter, “Hopping transport in the space-charge region of $p$–$n$ structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess $1/f$ noise and efficiency droop in LEDs”, Semiconductors, 49:6 (2015), 827–835 |
7
|
|
1984 |
| 8. |
А. А. Бугаев, А. В. Клочков, “Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3487–3489  |
| 9. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Пикосекундная спектроскопия перехода полупроводник–металл в пленке двуокиси ванадия”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1463–1467 |
|
1983 |
| 10. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Индуцированная оптическая анизотропия пленки двуокиси ванадия при пикосекундном возбуждении”, Физика твердого тела, 25:6 (1983), 1890–1892 |
|
