|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, А. А. Фирсов, В. С. Куликаускас, Е. Е. Якимов, Е. П. Кириленко, А. В. Горячев, “Исследование пленок оксида кремния, имплантированных цинком”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 701–707   |
| 2. |
Е. В. Храмов, В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, “Исследование методом спектроскопии поглощения рентгеновских лучей структуры наночастиц Zn в матрице Si после облучения быстрыми ионами Хе”, Письма в ЖТФ, 49:12 (2023), 3–6 |
|
2020 |
| 3. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, В. С. Куликаускас, Д. А. Киселев, А. Ю. Трифонов, А. Н. Терещенко, “Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1376–1382 ; V. V. Privezentsev, A. P. Sergeev, V. S. Kulikauskas, D. A. Kiselev, A. Yu. Trifonov, A. N. Tereshchenko, “Structure, content and properties of Zn and O ion hot implanted silicon”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1650–1656 |
|
2019 |
| 4. |
В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. А. Скуратов, О. С. Зилова, А. А. Бурмистров, М. Ю. Пресняков, А. В. Горячев, “Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 332–339 ; V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. A. Skuratov, O. S. Zilova, A. A. Burmistrov, M. Yu. Presniakov, A. V. Goryachev, “Structure and properties of Zn-implanted Si near-surface layer modification depending on irradiation fluence of $^{132}$Xe$^{26+}$ ions with energy of 167 MeV”, Semiconductors, 53:3 (2019), 313–320 |
|
2015 |
| 5. |
Э. З. Хамдохов, З. М. Хамдохов, А. З. Хамдохов, Р. Ш. Тешев, З. Х. Калажоков, Х. Х. Калажоков, В. С. Куликаускас, А. А. Ерискин, “Свойства хром-никелевых пленок
после воздействия пучка ионов углерода”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2015, № 5, 18–23 |
|
