|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
Е. А. Богоявленская, В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, А. Е. Рогожин, “Формирование затворных структур типа W/HfO$_2$/Si магнетронным распылением in situ и быстрым термическим отжигом”, ЖТФ, 84:5 (2014), 82–87   ; E. A. Bogoyavlenskaya, V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, A. E. Rogozhin, “Formation of W/HfO$_2$/Si gate structures using in situ magnetron sputtering and rapid thermal annealing”, Tech. Phys., 59:5 (2014), 711–715 |
1
|
|
2012 |
| 2. |
В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, С. Г. Симакин, “Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии”, ЖТФ, 82:2 (2012), 122–128 ; V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, S. G. Simakin, “Formation and investigation of cobalt silicide ultrathin layers in Ti/Co/Ti-, TiN/Ti/Co-, and TiN/Co-on-silicon structures”, Tech. Phys., 57:2 (2012), 279–285 |
2
|
|
1992 |
| 3. |
В. И. Рудаков, “Теплота переноса в чистых кристаллах”, Физика твердого тела, 34:12 (1992), 3671–3676  |
|
