|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
К. В. Лихачев, М. В. Учаев, М. М. Логинова, И. П. Вейшторт, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025), 306–313  |
|
2024 |
| 2. |
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373 ; K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Local diagnostics of spin defects in irradiated SiC Schottky diodes”, JETP Letters, 120:5 (2024), 354–359 |
| 3. |
К. В. Лихачев, И. П. Вейшторт, М. В. Учаев, А. В. Батуева, В. В. Яковлева, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 82–88 ; K. V. Likhachev, I. P. Veishtort, M. V. Uchaev, A. V. Batueva, V. V. Yakovleva, A. S. Gurin, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Fully optical scanning spectroscopy of the anticrossing of electron and nuclear spin levels in a 4H-SiC crystal”, JETP Letters, 119:2 (2024), 78–83 |
4
|
| 4. |
В. Ю. Аксенов, А. В. Анкудинов, А. С. Власов, М. С. Дунаевский, В. Н. Жмерик, Д. В. Лебедев, К. В. Лихачев, В. А. Перескокова, А. М. Минтаиров, “Локальное легирование монослойного WSe$_2$ на пьезоэлектрических подложках GaInP$_2$ и GaN”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 401–408  |
|
2023 |
| 5. |
Р. А. Бабунц, А. В. Батуева, А. С. Гурин, К. В. Лихачев, Е. В. Единач, П. Г. Баранов, “Обнаружение спектров ЭПР оптически индуцированных носителей со свойствами эффективной массы в дихалькогениде переходного металла WS$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 117:9 (2023), 697–703 ; R. A. Babunts, A. V. Batueva, A. S. Gurin, K. V. Likhachev, E. V. Edinach, P. G. Baranov, “Detection of electron paramagnetic resonance spectra of optically induced carriers with the properties of the effective mass in the WS$_2$ transition metal dichalcogenide”, JETP Letters, 117:9 (2023), 701–707 |
| 6. |
K. V. Likhachev, M. V. Uchaev, I. D. Breev, A. V. Ankudinov, R. A. Babunts, P. G. Baranov, S. V. Kidalov, “ODMR active bright sintered detonation nanodiamonds obtained without irradiation”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 113 |
|
2022 |
| 7. |
К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, “Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 810–815 ; K. V. Likhachev, I. D. Breev, S. V. Kidalov, P. G. Baranov, S. S. Nagalyuk, A. V. Ankudinov, A. N. Anisimov, “6H-SiC nanoparticles integrated with an atomic force microscope for scanning quantum sensors”, JETP Letters, 116:11 (2022), 840–845 |
3
|
| 8. |
A. N. Anisimov, I. D. Breev, K. V. Likhachev, O. P. Kazarova, S. S. Nagalyuk, P. G. Baranov, R. Hübner, G. V. Astakhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. P. Scheglov, E. N. Mokhov, “The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 527 |
|
2021 |
| 9. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278   |
3
|
|
