|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
К. В. Лихачев, М. В. Учаев, М. М. Логинова, И. П. Вейшторт, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 122:5 (2025), 306–313  |
| 2. |
А. И. Веретенников, М. В. Рахлин, Ю. М. Серов, А. И. Галимов, Г. П. Вейшторт, С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Салий, Д. С. Березина, Е. В. Никитина, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 189–193 ; A. I. Veretennikov, M. V. Rakhlin, Yu. M. Serov, A. I. Galimov, G. P. Veishtort, S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. P. Vasiliev, A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, J. A. Salii, D. S. Berezina, E. V. Nikitina, A. A. Toropov, “Single-photon emission in the telecom C-band in a micropillar cavity with an InAs/InGaAs quantum dot”, JETP Letters, 121:3 (2025), 170–174 |
|
2024 |
| 3. |
К. В. Лихачев, И. П. Вейшторт, М. В. Учаев, А. В. Батуева, В. В. Яковлева, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024), 82–88 ; K. V. Likhachev, I. P. Veishtort, M. V. Uchaev, A. V. Batueva, V. V. Yakovleva, A. S. Gurin, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Fully optical scanning spectroscopy of the anticrossing of electron and nuclear spin levels in a 4H-SiC crystal”, JETP Letters, 119:2 (2024), 78–83 |
4
|
|
2021 |
| 4. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278   |
3
|
|
