|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
A. N. Anisimov, I. D. Breev, K. V. Likhachev, O. P. Kazarova, S. S. Nagalyuk, P. G. Baranov, R. Hübner, G. V. Astakhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. P. Scheglov, E. N. Mokhov, “The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 527  |
|
2021 |
| 2. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278   |
3
|
|
2016 |
| 3. |
А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29  ; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 |
2
|
|
2015 |
| 4. |
В. А. Солтамов, Д. О. Толмачев, И. В. Ильин, Г. В. Астахов, В. В. Дьяконов, А. А. Солтамова, П. Г. Баранов, “Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре”, Физика твердого тела, 57:5 (2015), 877–885 ; V. A. Soltamov, D. O. Tolmachev, I. V. Il'in, G. V. Astakhov, V. V. Dyakonov, A. A. Soltamova, P. G. Baranov, “Point defects in silicon carbide as a promising basis for spectroscopy of single defects with controllable quantum states at room temperature”, Phys. Solid State, 57:5 (2015), 891–899 |
4
|
|
