|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87   ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 |
2
|
|
1992 |
| 2. |
А. А. Акопян, С. А. Витусевич, К. Ю. Гуга, В. К. Малютенко, А. М. Рыбак, “Контактная эксклюзия в полупроводниках с анизотропной биполярной
проводимостью”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 389–392 |
|
1984 |
| 3. |
С. А. Витусевич, Ю. М. Малозовский, В. К. Малютенко, “Влияние состояния поверхности на эксклюзию носителей тока в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 930–932 |
|
