|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
Ю. В. Стебунов, В. Г. Лейман, А. В. Арсенин, А. Д. Гладун, В. И. Рыжий, “Резонансный детектор модулированного излучения терагерцового диапазона на основе углеродных нанотрубок”, ЖТФ, 82:1 (2012), 67–72   ; Yu. V. Stebunov, V. G. Leiman, A. V. Arsenin, A. D. Gladun, V. I. Ryzhii, “Carbon nanotube based resonant detector of modulated terahertz radiation”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 63–68 |
1
|
|
2009 |
| 2. |
V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, “Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 70–74   ; JETP Letters, 89:2 (2009), 63–67 |
48
|
|
2008 |
| 3. |
V. Vyurkov, V. Ryzhii, “Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity”, Письма в ЖЭТФ, 88:5 (2008), 370–373 ; JETP Letters, 88:5 (2008), 322–325 |
24
|
|
2005 |
| 4. |
В. И. Рыжий, “Абсолютная отрицательная проводимость, индуцированная микроволновым излучением, и состояния с нулевым сопротивлением в двумерных электронных системах: история и современное состояние”, УФН, 175:2 (2005), 205–213 ; V. I. Ryzhii, “Microwave-induced negative conductivity and zero-resistance states in two-dimensional electronic systems: history and current status”, Phys. Usp., 48:2 (2005), 191–198 |
25
|
|
2004 |
| 5. |
V. Ryzhii, A. Chaplik, R. Suris, “Absolute negative conductivity and zero-resistance states in two dimensional electron systems: A plausible scenario”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 412–415 ; JETP Letters, 80:5 (2004), 363–366 |
37
|
| 6. |
Б. С. Павлов, В. И. Рыжий, “Точечные и антиточечные квантовые инфракрасные детекторы: итерационные методы решения уравнения Лапласа в сложных областях”, ТМФ, 141:2 (2004), 163–177   ; B. S. Pavlov, V. I. Ryzhii, “Quantum Dot and Antidot Infrared Photodetectors: Iterative Methods for Solving the Laplace Equation in Domains with Involved Geometry”, Theoret. and Math. Phys., 141:2 (2004), 1469–1481 |
1
|
|
1992 |
| 7. |
А. А. Захарова, В. И. Рыжий, “Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1182–1190 |
|
1989 |
| 8. |
Н. А. Баннов, В. И. Рыжий, “Об использовании метода макрочастиц для моделирования квантового транспорта в полупроводниковых микроструктурах”, Докл. АН СССР, 307:6 (1989), 1361–1365 |
| 9. |
Л. Ю. Бирюкова, В. А. Николаева, В. И. Рыжий, Б. Н. Четверушкин, “Алгоритмы квазигидродинамической модели для расчета процессов в электронной плазме субмикронных полупроводниковых структур”, Матем. моделирование, 1:5 (1989), 11–22 |
1
|
|
1988 |
| 10. |
В. А. Николаева, В. И. Рыжий, Б. Н. Четверушкин, “Метод расчета двумерных полупроводниковых структур в квазигидродинамическом приближении”, Докл. АН СССР, 298:6 (1988), 1367–1371 |
2
|
|
1986 |
| 11. |
В. А. Николаева, В. И. Рыжий, Б. Н. Четверушкин, “Численное моделирование нестационарного нагрева плотной электронно-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах”, Докл. АН СССР, 288:6 (1986), 1342–1346 |
| 12. |
Н. А. Баннов, В. И. Рыжий, А. А. Святченко, “Численное моделирование нестационарных электронных процессов в $n-p^+$–$n$-биполярных гетеротранзисторах”, Докл. АН СССР, 287:6 (1986), 1368–1373 |
|
1984 |
| 13. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Высокочастотные свойства баллистических биполярных транзисторов
с неоднородной базой”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1107–1110 |
| 14. |
В. И. Рыжий, В. А. Федирко, И. И. Хмырова, “Особенности высокочастотных свойств баллистических биполярных
гетеротранзисторов”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 845–849 |
| 15. |
В. И. Рыжий, Н. А. Баннов, В. А. Федирко, “Баллистический и квазибаллистический транспорт в полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 769–786 |
| 16. |
И. А. Лубашевский, В. И. Рыжий, В. А. Федирко, “Влияние разогрева электронов и дырок на собственную
фотопроводимость полупроводников в условиях оже-рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 191–194 |
|
1975 |
| 17. |
А. А. Иванов, Н. С. Путвинская, В. И. Рыжий, “Циклотронные неустойчивости неравновесной электронной плазмы полупроводников”, Докл. АН СССР, 220:4 (1975), 814–817 |
|
