|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. В. Семченко, В. А. Пилипенко, “Высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур металл–Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$–термический окисел–кремний”, Физика твердого тела, 68:3 (2026), 429–433  |
|
2025 |
| 2. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “О свойствах переходного слоя между кремниевой подложкой и сегнетоэлектрическим или high-k-диэлектрическим изолирующим промежутком”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 832–836  |
|
2022 |
| 3. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 556–559 |
| 4. |
Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, И. А. Шушарин, “Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 328–334 |
2
|
|
2021 |
| 5. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1887–1889 |
2
|
| 6. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 24–27 ; D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 |
5
|
|
2020 |
| 7. |
Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1226–1231 ; E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Electrophysical properties investigation of Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ ferroelectric films in paraelectric state”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1380–1385 |
3
|
| 8. |
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, Дж. И. Гусейнов, Н. Ш. Алиев, “Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 121–124 ; M. S. Afanasiev, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, A. E. Nabiyev, J. И. Huseynov, N. Sh. Aliev, “Conductivity of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 164–167 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 481–484 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of the characteristics of field-resistant silicon–ultrathin oxide–polysilicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 465–468 |
7
|
| 10. |
Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 89–92 ; E. I. Goldman, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “On the nature of the increase in the electron mobility in the inversion channel at the silicon–oxide interface after the field effect”, Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88 |
1
|
| 11. |
Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 46–49 ; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Determination of the parameters of metal–insulator–semiconductor structures with ultrathin insulating layer from high-frequency capacitance–voltage measurements”, Semiconductors, 53:1 (2019), 42–45 |
6
|
|
2017 |
| 12. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1185–1188 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1136–1140 |
9
|
|
2015 |
| 13. |
Е. И. Гольдман, А. И. Левашова, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким окислом”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 483–488 ; E. I. Goldman, A. I. Levashova, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of high-frequency measurements of the impedance of metal-insulator-semiconductor structures with an ultrathin oxide”, Semiconductors, 49:4 (2015), 472–478 |
8
|
|
2011 |
| 14. |
Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом”, Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 974–979 ; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Manifestation of excess centers of electron-hole pair generation resulting from field and thermal stresses and their subsequent annihilation in dynamic current-voltage characteristics of Si-MOS structures with ultrathin oxide”, Semiconductors, 45:7 (2011), 944–949 |
6
|
|
2010 |
| 15. |
Е. И. Гольдман, Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева, “Прямое туннелирование электронов в структурах Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1050–1052 ; E. I. Goldman, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zhdan, G. V. Chucheva, “Direct tunneling of electrons in Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si structures under conditions of nonstationary depletion of the semiconductor surface of the majority charge carriers”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1016–1019 |
5
|
|
2008 |
| 16. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, М. В. Черняев, “Восстановление профиля потенциала в изолирующем слое по вольт-амперным характеристикам туннельных МДП диодов”, Физика и техника полупроводников, 42:1 (2008), 94–100 ; E. I. Goldman, A. G. Zhdan, N. F. Kuharskaya, M. V. Chernyaev, “Reconstruction of the potential profile in an insulating layer using current-voltage characteristics of tunneling MIS diodes”, Semiconductors, 42:1 (2008), 92–98 |
6
|
|
2006 |
| 17. |
Е. И. Гольдман, “Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов и нейтральных частиц в изолирующем слое на поверхности полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 40:10 (2006), 1209–1217 ; E. I. Goldman, “Concentration-elastic-stress instabilities in the distribution of ions and neutral particles in the insulator layer at the semiconductor surface”, Semiconductors, 40:10 (2006), 1178–1187 |
| 18. |
А. Г. Ждан, Г. В. Чучева, Е. И. Гольдман, “Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора в кинетике генерации неосновных носителей заряда в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 40:2 (2006), 195–201 ; A. G. Zhdan, G. V. Chucheva, E. I. Goldman, “A manifestation of the tunneling conductivity of a thin-gate insulator in the generation kinetics of minority carriers in metal–insulator–semiconductor structures”, Semiconductors, 40:2 (2006), 190–196 |
4
|
|
1992 |
| 19. |
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Сумарока, “Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое обеднения”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2048–2056 |
| 20. |
Е. И. Гольдман, “Определение пространственного расположения локализованных электронных состояний и границы раздела полупроводник$-$диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 766–770 |
|
Обратная связь: