|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния”, Физика твердого тела, 67:10 (2025), 1928–1931  |
| 2. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “О свойствах переходного слоя между кремниевой подложкой и сегнетоэлектрическим или high-k-диэлектрическим изолирующим промежутком”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 832–836  |
|
2023 |
| 3. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, Г. В. Чучева, “Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 65:6 (2023), 1060–1064 |
| 4. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 572–576 |
|
2022 |
| 5. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 556–559 |
|
2021 |
| 6. |
С. М. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1895–1900 |
| 7. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1887–1889 |
2
|
| 8. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 24–27 ; D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 |
5
|
|
2020 |
| 9. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1219–1223 ; M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Dependence of the electrophysical characteristics of metal–ferroelectric–semiconductor structures on the field-electrode material”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1445–1449 |
|
