Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Чучева Галина Викторовна
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 34
Научных статей: 33

Статистика просмотров:
Эта страница:570
Страницы публикаций:7424
Полные тексты:4076
доктор физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person182480
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. В. Семченко, В. А. Пилипенко, “Высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур металл–Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$–термический окисел–кремний”, Физика твердого тела, 68:3 (2026),  429–433  mathnet
2025
2. М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния”, Физика твердого тела, 67:10 (2025),  1928–1931  mathnet  elib
3. Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “О свойствах переходного слоя между кремниевой подложкой и сегнетоэлектрическим или high-k-диэлектрическим изолирующим промежутком”, Физика твердого тела, 67:5 (2025),  832–836  mathnet  elib
2023
4. М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, Г. В. Чучева, “Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1060–1064  mathnet  elib
5. М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния”, Физика твердого тела, 65:4 (2023),  572–576  mathnet  elib
2022
6. Д. А. Киселев, С. С. Старухина, Т. С. Ильина, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi$_{3.25}$La$_{0.75}$Ti$_{3-x}$A$_x$O$_{12}$ ($A$ – Мn, Zr, Nb)”, Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1483–1488  mathnet  elib
7. Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник”, Физика твердого тела, 64:5 (2022),  556–559  mathnet  elib
8. Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, И. А. Шушарин, “Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  328–334  mathnet  elib 2
2021
9. С. М. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST”, Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1895–1900  mathnet  elib
10. Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, “Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1887–1889  mathnet  elib 2
11. Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27  mathnet  elib; D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 5
2020
12. Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии”, Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231  mathnet  elib; E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Electrophysical properties investigation of Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ ferroelectric films in paraelectric state”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1380–1385 3
13. М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:3 (2020),  422–426  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Creation and investigation of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 480–484
14. М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, Дж. И. Гусейнов, Н. Ш. Алиев, “Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:1 (2020),  121–124  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, A. E. Nabiyev, J. И. Huseynov, N. Sh. Aliev, “Conductivity of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 164–167 2
15. М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1219–1223  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Dependence of the electrophysical characteristics of metal–ferroelectric–semiconductor structures on the field-electrode material”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1445–1449
2019
16. М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20”, Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1948–1952  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of BST 80/20 films”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1910–1914 4
17. Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  481–484  mathnet  elib; E. I. Goldman, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of the characteristics of field-resistant silicon–ultrathin oxide–polysilicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 465–468 7
18. Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92  mathnet  elib; E. I. Goldman, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “On the nature of the increase in the electron mobility in the inversion channel at the silicon–oxide interface after the field effect”, Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88 1
19. Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  46–49  mathnet  elib; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Determination of the parameters of metal–insulator–semiconductor structures with ultrathin insulating layer from high-frequency capacitance–voltage measurements”, Semiconductors, 53:1 (2019), 42–45 6
2018
20. М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, В. А. Лузанов, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:5 (2018),  951–954  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, V. A. Luzanov, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the substrate material on the structure and electrophysical properties of Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ thin films”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 954–957 4
2017
21. Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188  mathnet  elib; E. I. Goldman, S. A. Levashov, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1136–1140 9
2015
22. М. С. Афанасьев, А. Э. Набиев, Г. В. Чучева, “Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1354–1357  mathnet  elib; M. S. Afanasiev, A. E. Nabiyev, G. V. Chucheva, “Optical monitoring of the deposition process of ferroelectric films”, Phys. Solid State, 57:7 (2015), 1377–1380 5
23. Д. А. Киселев, М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$”, Физика твердого тела, 57:6 (2015),  1134–1137  mathnet  elib; D. A. Kiselev, M. S. Afanasiev, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Growth kinetics of induced domains in Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ ferroelectric thin films”, Phys. Solid State, 57:6 (2015), 1151–1154 13
24. Е. И. Гольдман, А. И. Левашова, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким окислом”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  483–488  mathnet  elib; E. I. Goldman, A. I. Levashova, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of high-frequency measurements of the impedance of metal-insulator-semiconductor structures with an ultrathin oxide”, Semiconductors, 49:4 (2015), 472–478 8
2013
25. М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, “Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  9–12  mathnet
26. М. С. Афанасьев, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, “Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  7–9  mathnet
2012
27. Г. В. Чучева, М. С. Афанасьев, И. А. Анисимов, А. И. Георгиева, С. А. Левашов, А. Э. Набиев, “Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012),  8–11  mathnet
2011
28. Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом”, Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  974–979  mathnet  elib; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Manifestation of excess centers of electron-hole pair generation resulting from field and thermal stresses and their subsequent annihilation in dynamic current-voltage characteristics of Si-MOS structures with ultrathin oxide”, Semiconductors, 45:7 (2011), 944–949 6
2010
29. Е. И. Гольдман, Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева, “Прямое туннелирование электронов в структурах Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1050–1052  mathnet  elib; E. I. Goldman, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zhdan, G. V. Chucheva, “Direct tunneling of electrons in Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si structures under conditions of nonstationary depletion of the semiconductor surface of the majority charge carriers”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1016–1019 5
2009
30. А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла”, Физика и техника полупроводников, 43:5 (2009),  705–707  mathnet  elib; A. G. Zhdan, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Self-correction of field-effect transistor characteristics in the mode of spontaneous space-charge ion polarization of gate oxide”, Semiconductors, 43:5 (2009), 677–679 3
2007
31. А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур $n^+$–Si-SiO$_2$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 41:9 (2007),  1135–1142  mathnet  elib; A. G. Zhdan, N. F. Kuharskaya, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Reconstruction of dependences of the tunneling current on the oxide voltage using the dynamic current-voltage characteristics of the $n^+$–Si-SiO$_2$–$n$-Si heterostructures”, Semiconductors, 41:9 (2007), 1117–1125 2
32. Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева, “Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла”, Физика и техника полупроводников, 41:3 (2007),  368–371  mathnet  elib; Yu. V. Gulyaev, A. G. Zhdan, G. V. Chucheva, “Increase in the electron mobility in the inversion channel of a Si-MOS transistor in the case of ion polarization of the gate oxide”, Semiconductors, 41:3 (2007), 357–360 5
2006
33. А. Г. Ждан, Г. В. Чучева, Е. И. Гольдман, “Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора в кинетике генерации неосновных носителей заряда в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 40:2 (2006),  195–201  mathnet  elib; A. G. Zhdan, G. V. Chucheva, E. I. Goldman, “A manifestation of the tunneling conductivity of a thin-gate insulator in the generation kinetics of minority carriers in metal–insulator–semiconductor structures”, Semiconductors, 40:2 (2006), 190–196 4
2017
34. Б. В. Хлопов, Г. В. Чучева, А. Б. Митягина, “Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 17:1 (2017),  33–43  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026