|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, З. С. Алиев, З. А. Джахангирли, И. Ю. Скляднева, Е. Г. Ализаде, Е. Н. Алиева, М. М. Отроков, В. Н. Зверев, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)”, Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022), 801–808  ; N. A. Abdullaev, I. R. Amireslanov, Z. S. Aliyev, Z. A. Jahangirli, I. Yu. Sklyadneva, E. G. Alizade, E. N. Aliyeva, M. M. Otrokov, V. N. Zverev, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “Lattice dynamics of Bi$_2$Te$_3$ and vibrational modes in Raman scattering of topological insulators MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)”, JETP Letters, 115:12 (2022), 749–756 |
19
|
|
2021 |
| 2. |
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. Б. Бабанлы, З. А. Джахангирли, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Т. Г. Мамедов, М. М. Отроков, А. М. Шикин, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067  ; N. A. Abdullaev, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. B. Babanly, Z. A. Jahangirli, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, T. G. Mamedov, M. M. Otrokov, A. M. Shikin, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “The charge transport mechanism in a new magnetic topological insulator MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1120–1125 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926 ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
3
|
| 4. |
А. Ю. Гамзаева, Е. Г. Ализаде, Н. Т. Мамедов, Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Г. Х. Аждаров, К. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 235–240 ; A. Yu. Gamzayeva, E. G. Alizade, N. T. Mamedov, N. A. Abdullaev, I. R. Amireslanov, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, G. H. Azhdarov, K. Sh. Kahramanov, S. A. Nemov, “Optical properties of polyethylene filled with Bi$_{2}$Te$_{3}$ nanocrystallites”, Semiconductors, 53:2 (2019), 224–228 |
5
|
|
2018 |
| 5. |
Y. G. Shim, T. Asahi, K. Wakita, Н. Т. Мамедов, Е. Н. Алиева, Н. А. Абдуллаев, “Фотоиндуцированная обратимая локальная деформация рельефа поверхности в объемных монокристаллах TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$ и TlSe”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 86–93 ; Y. G. Shim, T. Asahi, K. Wakita, N. T. Mamedov, E. N. Aliyeva, N. A. Abdullaev, “Photoinduced reversible local deformation of the surface relief in bulk single crystals of TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$, and TlSe”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 643–645 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557 ; R. R. Guseinov, V. A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “In InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530 |
5
|
|
