|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Убыйвовк, Е. В. Осипова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 105–113   |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 3–7 |
|
2024 |
| 3. |
А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. В. Осипова, А. В. Редьков, С. А. Кукушкин, “Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика твердого тела, 66:8 (2024), 1338–1343 |
| 4. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, Л. А. Cокура, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 474–477 |
|
2023 |
| 5. |
В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Ю. Э. Китаев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Лебедев, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. В. Козловский, “Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 573–576 |
| 6. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, “Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 534–537 |
| 7. |
А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Кремлева, Е. В. Осипова, А. М. Смирнов, С. А. Кукушкин, “Фазовые превращения в слоях оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 49:17 (2023), 6–9 |
| 8. |
Т. Т. Кондратенко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, “Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023), 3–6 |
|
2022 |
| 9. |
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, М. В. Старицын, А. В. Солнышкин, О. Н. Сергеева, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин, “Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 522–527 |
1
|
| 10. |
А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, “Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 64:1 (2022), 117–124 |
| 11. |
П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 547–552 |
| 12. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, В. М. Стожаров, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022), 24–28 |
|
2021 |
| 13. |
А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия”, Физика твердого тела, 63:6 (2021), 788–795 ; A. M. Smirnov, A. V. Kremleva, Sh. Sh. Sharofidinov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “Misfit stress relaxation in $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ heterostructures via formation of misfit dislocations”, Phys. Solid State, 63:6 (2021), 924–931 |
3
|
| 14. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369 ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 |
9
|
| 15. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
| 16. |
А. В. Солнышкин, О. Н. Сергеева, О. А. Шустова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. В. Старицын, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин, И. П. Пронин, “Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 7–10 ; A. V. Solnyshkin, O. N. Sergeeva, O. A. Shustova, Sh. Sh. Sharofidinov, M. V. Staritsyn, E. Yu. Kaptelov, S. A. Kukushkin, I. P. Pronin, “Dielectric and pyroelectric properties of composites based on aluminum and gallium nitrides grown by chloride-hydride epitaxy on a silicon carbide-on-silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 466–469 |
5
|
|
2020 |
| 17. |
Е. А. Панютин, Ш. Ш. Шарофидинов, Т. А. Орлова, С. А. Сныткина, А. А. Лебедев, “Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники”, ЖТФ, 90:3 (2020), 450–455 ; E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 |
5
|
| 18. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 22–25 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, Sh. Sh. Sharofidinov, “Epitaxial growth of bulk semipolar aln films on Si(001) and hybrid SiC/Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542 |
5
|
| 19. |
Г. А. Гаврилов, К. Л. Муратиков, Е. А. Панютин, Г. Ю. Сотникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 20–23 ; G. A. Gavrilov, K. L. Muratikov, E. A. Panyutin, G. Yu. Sotnikova, Sh. Sh. Sharofidinov, “Specific features of the pyroelectric effect in epitaxial aluminum nitride layers obtained on Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 16–18 |
2
|
|
2019 |
| 20. |
О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, Т. С. Ильина, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин, “Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2379–2384 ; O. N. Sergeeva, A. V. Solnyshkin, D. A. Kiselev, T. S. Ilina, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, E. Yu. Kaptelov, I. P. Pronin, “Influence of orientation of a silicon substrate with a buffer silicon carbide layer on dielectric and polar properties of aluminum nitride films”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2386–2391 |
8
|
| 21. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, “Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2338–2343 ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, “A new method of growing AlN, GaN, and AlGaN bulk crystals using hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2342–2347 |
18
|
| 22. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
| 23. |
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 24–27 ; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 |
18
|
|
2018 |
| 24. |
Г. А. Гаврилов, А. Ф. Капралов, К. Л. Муратиков, Е. А. Панютин, А. В. Сотников, Г. Ю. Сотникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 11–19 ; G. A. Gavrilov, A. F. Kapralov, K. L. Muratikov, E. A. Panyutin, A. V. Sotnikov, G. Yu. Sotnikova, Sh. Sh. Sharofidinov, “Studying the pyroelectric effect in AlN epilayers”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 709–712 |
11
|
|
2016 |
| 25. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
| 26. |
Ш. Ш. Шарофидинов, В. И. Николаев, А. Н. Смирнов, А. В. Чикиряка, И. П. Никитина, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 549–552 ; Sh. Sh. Sharofidinov, V. I. Nikolaev, A. N. Smirnov, A. V. Chikiryaka, I. P. Nikitina, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 541–544 |
4
|
|
Обратная связь: