|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. В. Осипов, А. С. Гращенко, Е. В. Осипова, Е. В. Убыйвовк, С. А. Кукушкин, “Кристаллическая структура и электронные свойства полукогерентной границы раздела 3C-SiC(111)/Si(111)”, Физика твердого тела, 68:3 (2026), 397–402  |
|
2025 |
| 2. |
С. А. Кукушкин, Н. И. Руль, Е. В. Убыйвовк, А. В. Осипов, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, “Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 67:4 (2025), 624–634  |
| 3. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Убыйвовк, Е. В. Осипова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 105–113 |
| 4. |
О. Ф. Вывенко, О. А. Гогина, Ю. В. Петров, Е. В. Убыйвовк, Т. С. Аргунова, С. С. Нагалюк, “Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 306–309 |
|
2024 |
| 5. |
С. А. Кукушкин, М. Г. Воробьев, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, Е. В. Убыйвовк, “Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 66:7 (2024), 1133–1143 |
| 6. |
А. А. Корякин, Е. В. Убыйвовк, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 27–30 |
|
2023 |
| 7. |
О. Ф. Вывенко, А. С. Бондаренко, Е. В. Убыйвовк, С. В. Шапенков, А. И. Печников, В. И. Николаев, С. И. Степанов, “Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в $\kappa$-фазе оксида галлия”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2194–2197 |
| 8. |
А. Д. Буравлев, А. Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е. В. Убыйвовк, В. А. Астраханцева, А. В. Осипов, Г. В. Святец, С. А. Кукушкин, “Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз””, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 343–347 |
| 9. |
Т. Т. Кондратенко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, “Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023), 3–6 |
|
2022 |
| 10. |
А. И. Бобров, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е. В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д. С. Клементьев, З. Ш. Гасайниев, А. В. Харламов, “Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 833–838 |
| 11. |
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li, R. Radhakrishnan, J. F. Neto, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 689–692 |
| 12. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, В. М. Стожаров, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022), 24–28 |
| 13. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022), 32–35 |
|
2021 |
| 14. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369 ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 |
9
|
|
2020 |
| 15. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, Г. Э. Цырлин, Е. Н. Бодунов, В. В. Данилов, “Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 122–127 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 |
9
|
|
2019 |
| 16. |
А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292 ; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 |
11
|
| 17. |
Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 38–41 ; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 |
1
|
|
2018 |
| 18. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
| 19. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
1
|
|
2017 |
| 20. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
1
|
|
2013 |
| 21. |
А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1033–1036 ; A. D. Bouravlev, V. N. Nevedomskiy, E. V. Ubyivovk, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “(In,Mn)As quantum dots: Molecular-beam epitaxy and optical properties”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1037–1040 |
6
|
| 22. |
В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко, “Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 228–232 ; V. I. Vdovin, E. V. Ubyivovk, O. F. Vyvenko, “Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers”, Semiconductors, 47:2 (2013), 264–268 |
3
|
|
2012 |
| 23. |
Е. В. Чарная, M. K. Lee, C. Tien, В. Н. Пак, Д. В. Формус, А. Л. Пирозерский, А. И. Недбай, Е. В. Убыйвовк, С. В. Барышников, L. J. Chang, “Магнитные свойства нанокомпозитов пористое стекло–CuO”, Физика твердого тела, 54:9 (2012), 1772–1776 ; E. V. Charnaya, M. K. Lee, C. Tien, V. N. Pak, D. V. Formus, A. L. Pirozerskii, A. I. Nedbai, E. V. Ubyivovk, S. V. Baryshnikov, L. J. Chang, “Magnetic properties of porous glass-CuO nanocomposites”, Phys. Solid State, 54:9 (2012), 1891–1895 |
3
|
|
2009 |
| 24. |
Е. В. Убыйвовк, Д. К. Логинов, И. Я. Герловин, Ю. К. Долгих, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, В. В. Петров, О. Ф. Вывенко, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, “Экспериментальное определение толщины “мертвого слоя” для экситонов в широкой квантовой яме GaAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 51:9 (2009), 1818–1823 ; E. V. Ubyivovk, D. K. Loginov, I. Ya. Gerlovin, Yu. K. Dolgikh, Yu. P. Efimov, S. A. Eliseev, V. V. Petrov, O. F. Vyvenko, A. A. Sitnikova, D. A. Kirilenko, “Experimental determination of dead layer thickness for excitons in a wide GaAs/AlGaAs quantum well”, Phys. Solid State, 51:9 (2009), 1929–1934 |
6
|
|
Обратная связь: