|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. Н. Моисеев, В. С. Евстигнеев, А. В. Чилясов, М. В. Костюнин, “Влияние условий осаждения из паров металлоорганических соединений на получение эпитаксиальных слоев $n$-CdTe с использованием изопропилиодида”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 350–356   |
|
2021 |
| 2. |
В. С. Евстигнеев, А. В. Чилясов, А. Н. Моисеев, С. В. Морозов, Д. И. Курицын, “Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 9–15 ; V. S. Evstigneev, A. V. Chilyasov, A. N. Moiseev, S. V. Morozov, D. I. Kuritsyn, “Arsenic doping upon the deposition of CdTe layers from dimethylcadmium and diisopropyltellurium”, Semiconductors, 55:1 (2021), 7–13 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
В. С. Евстигнеев, В. С. Варавин, А. В. Чилясов, В. Г. Ремесник, А. Н. Моисеев, Б. С. Степанов, “Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 554–559 ; V. S. Evstigneev, V. S. Varavin, A. V. Chilyasov, V. G. Remesnik, A. N. Moiseev, B. S. Stepanov, “Electrophysical properties of $p$-type undoped and arsenic-doped Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te epitaxial layers with $x\approx$ 0.4 grown by the MOCVD method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 702–707 |
4
|
|
