Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Брунков Павел Николаевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 65
Научных статей: 64

Статистика просмотров:
Эта страница:552
Страницы публикаций:15478
Полные тексты:7790
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person182994
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Д. А. Бауман, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, П. А. Богданов, А. Ю. Иванов, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. Ф. Цацульников, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, “Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  57–60  mathnet  elib
2023
2. М. Д. Шарков, Н. Д. Прасолов, А. А. Левин, П. Н. Брунков, “Построение 2D-картин рентгеновской дифракции от модельных кристаллов-вискеров арсенида галлия”, Физика твердого тела, 65:1 (2023),  98–105  mathnet  elib
3. Н. Д. Прасолов, А. И. Лихачев, Р. В. Соколов, А. А. Левин, М. В. Нарыкова, А. Г. Кадомцев, П. Н. Брунков, М. М. Султанов, А. В. Стрижиченко, И. А. Болдырев, “Измерения частотной зависимости скин-эффекта металлических проводов с круглым сечением”, ЖТФ, 93:8 (2023),  1188–1192  mathnet  elib 1
2022
4. М. К. Рабчинский, А. Д. Трофимук, А. В. Швидченко, М. В. Байдакова, С. И. Павлов, Д. А. Кириленко, Ю. В. Кульвелис, М. В. Гудков, К. А. Шиянова, В. С. Коваль, Г. С. Петерс, В. Т. Лебедев, В. П. Мельников, А. Т. Дидейкин, П. Н. Брунков, “Влияние знака дзета-потенциала наноалмазных частиц на морфологию композитов “графен–детонационный наноалмаз” в виде суспензий и аэрогелей”, ЖТФ, 92:12 (2022),  1853–1868  mathnet  elib
2021
5. Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137  mathnet  elib; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamics study of dimer formation on GaAs (001) surface at low temperatures”, Semiconductors, 55:2 (2021), 175–178
2020
6. А. А. Настулявичус, С. И. Кудряшов, Н. А. Смирнов, Р. А. Хмельницкий, А. А. Руденко, Н. Н. Мельник, Д. А. Кириленко, П. Н. Брунков, А. А. Ионин, “Лазерная генерация коллоидных кремниевых наночастиц, легированных серой и углеродом”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  897–901  mathnet  elib; A. A. Nastulyavichus, S. I. Kudryashov, N. A. Smirnov, R. A. Khmelnitskii, A. A. Rudenko, N. N. Mel'nik, D. A. Kirilenko, P. N. Brunkov, A. A. Ionin, “Laser formation of colloidal sulfur- and carbon-doped silicon nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 885–896
7. А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840  mathnet  elib; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998
8. А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6  mathnet  elib; A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 2
9. Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный, “Выглаживание поверхности антимонида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50  mathnet  elib; R. V. Levin, I. V. Fedorov, A. S. Vlasov, P. N. Brunkov, B. V. Pushnii, “Smoothing the surface of gallium antimonide”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1203–1205
2019
10. V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 2
11. Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426  mathnet  elib; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamic modelling of low temperature reconstruction of GaAs (001) surface during nanoindentation process”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1386–1388 5
12. N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164  mathnet  elib
13. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 6
2018
14. А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667  mathnet  elib; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 3
15. E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624
16. D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, A. S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I. V. Mukhin, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. Yu. Romanova, P. A. Buryak, A. M. Mintairov, “Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 497–501 2
17. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132  mathnet  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 8
18. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 1
19. Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, С. Н. Попов, П. Н. Брунков, Г. А. Панкова, А. А. Золотарев, “Упругие и пьезоэлектрические параметры кристаллов гистидинфосфита $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$, полученные методом электромеханического резонанса”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  69–78  mathnet  elib; E. V. Balashova, B. B. Krichevtsov, S. N. Popov, P. N. Brunkov, G. A. Pankova, A. A. Zolotarev, “Elastic and piezoelectric parameters of the crystals of histidine phosphite $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$ measured by the method of electromechanical resonance”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 118–122 3
2017
20. Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74  mathnet  elib; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 3
2016
21. А. В. Воронин, А. Е. Александров, Б. Я. Бер, П. Н. Брунков, А. А. Борматов, В. К. Гусев, Е. В. Демина, А. Н. Новохацкий, С. И. Павлов, М. Д. Прусакова, Г. Ю. Сотникова, М. А. Яговкина, “Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам”, ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57  mathnet  elib; A. V. Voronin, A. E. Aleksandrov, B. Ya. Ber, P. N. Brunkov, A. A. Bormatov, V. K. Gusev, E. V. Demina, A. N. Novokhatskii, S. I. Pavlov, M. D. Prusakova, G. Yu. Sotnikova, M. A. Yagovkina, “Experimental study of cyclic action of plasma on tungsten”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 370–376 8
22. В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000  mathnet  elib; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 5
23. С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65  mathnet  elib; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 6
24. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 5
25. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434
2015
26. П. Н. Брунков, А. А. Липовский, В. Г. Мелехин, А. В. Редьков, В. В. Стаценко, “Формирование серебряных фрактальных структур в ионообменных стеклах при полинге”, ЖТФ, 85:2 (2015),  112–117  mathnet  elib; P. N. Brunkov, A. A. Lipovskii, V. G. Melekhin, A. V. Redkov, V. V. Statsenko, “Formation of silver fractal structures in ion-exchange glasses under poling”, Tech. Phys., 60:2 (2015), 270–274 4
27. Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, П. Н. Брунков, А. М. Надточий, А. С. Паюсов, Н. А. Калюжный, “Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143  mathnet  elib; R. A. Salii, S. A. Mintairov, P. N. Brunkov, A. M. Nadtochiy, A. S. Payusov, N. A. Kalyuzhnyy, “Determination of the technological growth parameters in the InAs–GaAs system for the MOCVD synthesis of “Multimodal” InAs QDs”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1111–1118 11
28. А. В. Бакланов, А. А. Гуткин, Н. А. Калюжный, П. Н. Брунков, “Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1083–1087  mathnet  elib; A. V. Baklanov, A. A. Gutkin, N. A. Kalyuzhnyy, P. N. Brunkov, “Effect of the interaction conditions of the probe of an atomic-force microscope with the $n$-GaAs surface on the triboelectrization phenomenon”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1057–1061 2
29. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Кладько, П. Н. Романец, П. О. Сай, Н. В. Сафрюк, В. Н. Шеремет, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Klad'ko, P. N. Romanets, P. O. Saja, N. V. Safryuk, V. N. Sheremet, “Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to $n^+$-InN”, Semiconductors, 49:4 (2015), 461–471 7
30. К. Г. Беляев, А. А. Усикова, В. Н. Жмерик, П. С. Копьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. Н. Брунков, “Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260  mathnet  elib; K. G. Belyaev, A. A. Usikova, V. N. Zhmerik, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, “Plasmon-induced enhancement of yellow-red luminescence in InGaN/Au nanocomposites”, Semiconductors, 49:2 (2015), 247–253 8
31. М. Э. Сасин, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, Н. А. Калитеевская, А. А. Лазаренко, В. А. Мазлин, П. Н. Брунков, С. И. Павлов, М. А. Калитеевский, “Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры”, Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  61–65  mathnet  elib; M. È. Sasin, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, N. A. Kaliteevskaya, A. Lazarenko, V. A. Mazlin, P. N. Brunkov, S. I. Pavlov, M. A. Kaliteevskii, “Cylindrical multilayer metal–dielectric structures”, Tech. Phys. Lett., 41:11 (2015), 1097–1098 3
2014
32. А. Ю. Егоров, П. Н. Брунков, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, С. Г. Конников, “Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645  mathnet  elib; A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 8
33. P. N. Brunkov, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, A. S. Petrov, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397  mathnet  elib; Semiconductors, 48:10 (2014), 1359–1362 7
34. А. В. Бакланов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, А. Ю. Егоров, С. Г. Конников, “Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191  mathnet  elib; A. V. Baklanov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, A. Yu. Egorov, S. G. Konnikov, “Analysis of thermal emission processes of electrons from arrays of InAs quantum dots in the space charge region of GaAs matrix”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1155–1160 2
35. М. А. Бочков, А. Г. Витухновский, И. В. Тайдаков, А. А. Ващенко, А. В. Кацаба, С. А. Амброзевич, П. Н. Брунков, “Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  384–387  mathnet  elib; M. A. Bochkov, A. G. Vitukhnovsky, I. V. Taidakov, A. A. Vashchenko, A. V. Katsaba, S. A. Ambrozevich, P. N. Brunkov, “Optimization of carrier mobility in luminescence layers based on europium $\beta$”, Semiconductors, 48:3 (2014), 369–372 12
36. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 2
37. В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, С. О. Усов, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников, “О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, S. O. Usov, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, N. A. Cherkashin, A. F. Tsatsul'nikov, “Dependence of the efficiency of III–N blue LEDs on the structural perfection of GaN epitaxial buffer layers”, Semiconductors, 48:1 (2014), 53–57 9
38. Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, Ф. Лиачи, В. Х. Кайбышев, В. А. Севрюк, П. Н. Брунков, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43  mathnet  elib; G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, F. Liaci, V. Kh. Kaibyshev, V. A. Sevryuk, P. N. Brunkov, A. A. Sitnikova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Molecular beam epitaxy of AlGaAs/Zn(Mn)Se hybrid nanostructures with InAs/AlGaAs quantum dots near the heterovalent interface”, Semiconductors, 48:1 (2014), 34–41
2013
39. П. А. Образцов, А. В. Нащекин, Н. В. Никоноров, А. И. Сидоров, А. В. Панфилова, П. Н. Брунков, “Формирование наночастиц серебра на поверхности силикатных стекол после ионного обмена”, Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1180–1186  mathnet  elib; P. A. Obraztsov, A. V. Nashchekin, N. V. Nikonorov, A. I. Sidorov, A. V. Panfilova, P. N. Brunkov, “Formation of silver nanoparticles on the silicate glass surface after ion exchange”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1272–1278 41
40. А. Н. Алешин, А. Д. Соколовская, И. П. Щербаков, П. Н. Брунков, В. П. Улин, “Органические светодиоды на основе пленок поливинилкарбазола, легированных полимерными наночастицами”, Физика твердого тела, 55:3 (2013),  617–621  mathnet  elib; A. N. Aleshin, A. D. Sokolovskaya, I. P. Shcherbakov, P. N. Brunkov, V. P. Ulin, “Organic light-emitting diodes based on polyvinylcarbazole films doped with polymer nanoparticles”, Phys. Solid State, 55:3 (2013), 675–680 18
41. Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Ю. М. Задиранов, “Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si”, Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601  mathnet  elib; G. A. Valkovskiy, M. V. Baidakova, P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Zadiranov, “Integrated characterization of multilayer periodic systems with nanosized layers as applied to Mo/Si structures”, Phys. Solid State, 55:3 (2013), 648–658 2
42. А. Е. Алексенский, П. Н. Брунков, А. Т. Дидейкин, Д. А. Кириленко, Ю. В. Кудашова, Д. А. Саксеев, В. А. Севрюк, М. С. Шестаков, “Однослойные пленки оксида графена на поверхности кремния”, ЖТФ, 83:11 (2013),  67–71  mathnet  elib; A. E. Aleksenskii, P. N. Brunkov, A. T. Dideikin, D. A. Kirilenko, Yu. V. Kudashova, D. A. Sakseev, V. A. Sevryuk, M. S. Shestakov, “Single-layer graphene oxide films on a silicon surface”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1614–1618 18
43. А. В. Кацаба, В. В. Федянин, С. А. Амброзевич, А. Г. Витухновский, А. Н. Лобанов, А. С. Селюков, Р. Б. Васильев, И. Г. Саматов, П. Н. Брунков, “Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1339–1343  mathnet  elib; A. V. Katsaba, V. V. Fedyanin, S. A. Ambrozevich, A. G. Vitukhnovsky, A. N. Lobanov, A. S. Selyukov, R. B. Vasiliev, I. G. Samatov, P. N. Brunkov, “Characterization of defects in colloidal CdSe nanocrystals by the modified thermostimulated luminescence technique”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1328–1332 26
44. П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, Н. Ю. Гордеев, В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184  mathnet  elib; P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, M. È. Rudinskii, A. A. Gutkin, N. Yu. Gordeev, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Local triboelectrification of an $n$-GaAs surface using the tip of an atomic-force microscope”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1170–1173 8
45. А. Г. Витухновский, А. А. Ващенко, В. С. Лебедев, Р. Б. Васильев, П. Н. Брунков, Д. Н. Бычковский, “Механизм передачи электронного возбуждения в органических светоизлучающих устройствах на основе полупроводниковых квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  962–969  mathnet  elib; A. G. Vitukhnovsky, A. A. Vashchenko, V. S. Lebedev, R. B. Vasiliev, P. N. Brunkov, D. N. Bychkovskii, “Mechanism of electronic-excitation transfer in organic light-emitting devices based on semiconductor quantum dots”, Semiconductors, 47:7 (2013), 971–977 16
46. В. А. Севрюк, П. Н. Брунков, И. В. Шальнев, А. А. Гуткин, Г. В. Климко, С. В. Гронин, С. В. Сорокин, С. Г. Конников, “Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926  mathnet  elib; V. A. Sevryuk, P. N. Brunkov, I. V. Shalnev, A. A. Gutkin, G. V. Klimko, S. V. Gronin, S. V. Sorokin, S. G. Konnikov, “Statistical analysis of AFM topographic images of self-assembled quantum dots”, Semiconductors, 47:7 (2013), 930–934 9
47. М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. И. Трошков, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419  mathnet  elib; M. M. Rozhavskaya, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Influence of the carrier Gas, trimethylgallium flow, and growth time on the character of the selective epitaxy of GaN”, Semiconductors, 47:3 (2013), 437–442 2
2012
48. А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, М. М. Рожавская, С. О. Усов, П. Н. Брунков, М. А. Синицын, Д. В. Давыдов, М. Н. Мизеров, Н. А. Черкашин, “Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, M. M. Rozhavskaya, S. O. Usov, P. N. Brunkov, M. A. Sinicin, D. V. Davydov, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, “Composite InGaN/GaN/InAlN heterostructures emitting in the yellow-red spectral region”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1281–1285 5
49. М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Электронные состояния на границах раздела электролит/$n$-GaN и электролит/$n$-InGaN”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  775–778  mathnet  elib; M. È. Rudinskii, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Electron states at electrolyte/$n$-GaN and electrolyte/$n$-InGaN interfaces”, Semiconductors, 46:6 (2012), 755–758 1
50. А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, “Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462 3
51. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. М. Рожавская, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, М. А. Синицын, Д. В. Давыдов, М. М. Кулагина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. M. Rozhavskaya, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, M. A. Sinicin, D. V. Davydov, M. M. Kulagina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Double-cross epitaxial overgrowth of nonpolar gallium nitride layers”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 265–267 1
2011
52. Г. К. Расулова, П. Н. Брунков, И. В. Пентин, В. В. Ковалюк, К. Н. Горшков, А. Ю. Казаков, С. Ю. Иванов, А. Ю. Егоров, Д. А. Саксеев, С. Г. Конников, “Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs”, ЖТФ, 81:6 (2011),  80–84  mathnet  elib; G. K. Rasulova, P. N. Brunkov, I. V. Pentin, V. V. Kovalyuk, K. N. Gorshkov, A. Yu. Kazakov, S. Yu. Ivanov, A. Yu. Egorov, D. A. Sakseev, S. G. Konnikov, “Mutual synchronization of two coupled self-oscillators based on GaAs/AlGaAs superlattices”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 826–830 2
53. П. Н. Брунков, А. А. Гуткин, М. Э. Рудинский, О. И. Ронжин, А. А. Ситникова, А. А. Шахмин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ю. Егоров, В. Е. Земляков, С. Г. Конников, “Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835  mathnet  elib; P. N. Brunkov, A. A. Gutkin, M. È. Rudinskii, O. I. Ronzhin, A. A. Sitnikova, A. A. Shakhmin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. Yu. Egorov, V. E. Zemlyakov, S. G. Konnikov, “Electrochemical capacitance-voltage profiling of the free-carrier concentration in HEMT heterostructures based on InGaAs/AlGaAs/GaAs compounds”, Semiconductors, 45:6 (2011), 811–817 12
2010
54. А. Ф. Цацульников, Е. Е. Заварин, Н. В. Крыжановская, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, Н. А. Черкашин, M. Hytch, “Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN”, Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, E. E. Zavarin, N. V. Kryzhanovskaya, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, N. A. Cherkashin, M. Hytch, “Formation of composite InGaN/GaN/InAlN quantum dots”, Semiconductors, 44:10 (2010), 1338–1341 2
55. М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Вольт-фарадные характеристики системы электролит–$n$-InN и электронные состояния на границе раздела”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1053–1058  mathnet  elib; M. È. Rudinskii, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Capacitance-voltage characteristics of the electrolyte-$n$-InN surface and electron states at the interface”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1020–1024 1
56. О. И. Румянцев, П. Н. Брунков, Е. В. Пирогов, А. Ю. Егоров, “Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  923–927  mathnet  elib; O. I. Rumyantsev, P. N. Brunkov, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Study of defects in heterostructures with GaPAsN and GaPN quantum wells in the GaP matrix”, Semiconductors, 44:7 (2010), 893–897 9
57. В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, П. Н. Брунков, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, “Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе”, Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, P. N. Brunkov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, “High growth rate of AlN in a planetary MOVPE reactor”, Tech. Phys. Lett., 36:12 (2010), 1133–1135 4
2009
58. А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, А. Ю. Егоров, “Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaN$_x$As$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009),  1308–1311  mathnet  elib; A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, A. Yu. Egorov, “The short-wavelength edge of intrinsic photoluminescence in diluted GaN$_x$As$_{1-x}$ alloys”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1267–1270
59. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. Е. Николаев, Г. А. Михайловский, П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 43:7 (2009),  996–1001  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, M. A. Sinicin, A. E. Nikolaev, G. A. Mikhailovskii, P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Effect of carrier gas and doping profile on the surface morphology of MOVPE grown heavily doped GaN:Mg layers”, Semiconductors, 43:7 (2009), 963–967 22
60. В. С. Сизов, А. А. Гуткин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN”, Физика и техника полупроводников, 43:6 (2009),  836–840  mathnet  elib; V. S. Sizov, A. A. Gutkin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Phase separation and nonradiative carrier recombination in active regions of light-emitting devices based on InGaN quantum dots in a GaN or AlGaN matrix”, Semiconductors, 43:6 (2009), 807–811 1
61. Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Д. В. Давыдов, В. С. Сизов, П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, А. Ф. Цацульников, “Формирование индий-обогащенных островковых структур методом in situ наномаскирования”, Письма в ЖТФ, 35:21 (2009),  88–96  mathnet  elib; E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, D. V. Davydov, V. S. Sizov, P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, A. F. Tsatsul'nikov, “Indium-rich island structures formed by in-situ nanomasking technology”, Tech. Phys. Lett., 35:11 (2009), 1016–1019
2008
62. А. А. Гуткин, М. Э. Рудинский, П. Н. Брунков, А. А. Клочихин, В. Ю. Давыдов, H.-Y. Chen, S. Gwo, “Поверхностные состояния на границе раздела $n$-InN–электролит”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1448–1451  mathnet  elib; A. A. Gutkin, M. È. Rudinskii, P. N. Brunkov, A. A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, H.-Y. Chen, S. Gwo, “Surface states on the $n$-InN-electrolyte interface”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1416–1419 1
63. А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. Г. Конников, “Эмиссия электронов из многослойных ансамблей вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1122–1125  mathnet  elib; A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. G. Konnikov, “Electron emission from multilayer ensembles of vertically coupled InAs quantum dots in an $n$-GaAs matrix”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1104–1107 6
64. П. Н. Брунков, В. Г. Мелехин, В. В. Гончаров, А. А. Липовский, М. И. Петров, “Формирование рельефа с субмикронным разрешением при поляризации стекол и стеклометаллических нанокомпозитов”, Письма в ЖТФ, 34:23 (2008),  73–79  mathnet  elib; P. N. Brunkov, V. G. Melekhin, V. V. Goncharov, A. A. Lipovskii, M. I. Petrov, “Submicron-resolved relief formation in poled glasses and glass-metal nanocomposites”, Tech. Phys. Lett., 34:12 (2008), 1030–1033 45
2021
65. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026