Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Богомолов Дмитрий Борисович

Дата рождения: 8.07.1998
E-mail:
Сайт: https://www.isp.nsc.ru/obrazovanie/aspirantura/aspiranty/aspirant?id?60

https://www.mathnet.ru/rus/person183004
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=1220492
https://orcid.org/0009-0006-2365-4842

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Д. Б. Богомолов, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  185–191  mathnet  elib
2021
2. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 7

Организации