|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Газизулина, А. А. Насиров, А. А. Небесный, П. Б. Парчинский, D. Kim, “Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 159–163   ; A. S. Gazizulina, A. A. Nasirov, A. A. Nebesniy, P. B. Parchinskiy, D. Kim, “Anisotropy of negative magnetoresistance in GaMnAs epitaxial layers”, Semiconductors, 55:2 (2021), 214–218 |
3
|
|
2011 |
| 2. |
П. Б. Парчинский, А. А. Насиров, Л. Г. Лигай, М. М. Алламбергенов, К. А. Исмайлов, “Зависимость скорости поверхностной генерации на границе раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло от условий формирования области неравновесного обеднения”, Письма в ЖТФ, 37:15 (2011), 1–7 ; P. B. Parchinskiy, A. A. Nasirov, L. G. Ligai, M. M. Allambergenov, K. A. Ismailov, “Dependence of the surface generation velocity at silicon-(lead borosilicate) glass interface on conditions of nonequilibrium depletion region formation”, Tech. Phys. Lett., 37:8 (2011), 693–695 |
|
