|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Л. К. Орлов, Т. Э. Зедоми, А. С. Ивина, М. Л. Орлов, “Высокочастотные свойства двумерной квантовой сверхрешетки в сильном однородном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024), 78–88   |
|
2021 |
| 2. |
М. Л. Орлов, Л. К. Орлов, “Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 241–250 ; M. L. Orlov, L. K. Orlov, “Features of electron transport in two-dimensional quantum superlattices with the non-associative dispersion law”, Semiconductors, 55:3 (2021), 319–327 |
|
2018 |
| 3. |
М. Л. Орлов, Н. С. Волкова, Н. Л. Ивина, Л. К. Орлов, “Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1006–1014 ; M. L. Orlov, N. S. Volkova, N. L. Ivina, L. K. Orlov, “Electric-field behavior of the resonance features of the tunneling photocurrent component in InAs(QD)/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1129–1136 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462 |
|
2015 |
| 5. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, Н. А. Бекин, А. Н. Яблонский, П. А. Юнин, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, В. Н. Шастин, “Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 15–20 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, N. A. Bekin, A. N. Yablonskii, P. A. Yunin, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, V. N. Shastin, “Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures”, Semiconductors, 49:1 (2015), 13–18 |
|
2014 |
| 6. |
М. Л. Орлов, Ж. Хорват, Н. Л. Ивина, В. Н. Неверов, Л. К. Орлов, “Особенности электронного транспорта в релаксированных транзисторных гетероструктурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ с высоким уровнем легирования”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 970–982 ; M. L. Orlov, J. Horvath, N. L. Ivina, V. N. Neverov, L. K. Orlov, “Features of electron transport in relaxed Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ transistor heterostructures with a high doping level”, Semiconductors, 48:7 (2014), 942–953 |
|
2012 |
| 7. |
Ю. Ю. Романова, М. Л. Орлов, Ю. А. Романов, “Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1475–1482 ; Yu. Yu. Romanova, M. L. Orlov, Yu. A. Romanov, “Tunneling and current characteristics of two-miniband superlattice”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1443–1450 |
2
|
|
