|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe”, Физика твердого тела, 64:2 (2022), 173–178   |
| 2. |
Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, S. Pavlov, H.-W. Hübers, С. В. Морозов, “Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 465–471 |
|
2021 |
| 3. |
R. J. S. Abraham, V. B. Shuman, L. M. Portsel, A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, S. Simmons, M. L. W. Thewalt, “Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 500 |
| 4. |
Ю. А. Астров, Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, “Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149 ; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 |
1
|
| 6. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288 ; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257 |
| 8. |
В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266 ; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 |
9
|
|
2018 |
| 9. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko, “Calculation of multiply charged states of impurity-defect centers in epitaxial Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te layers”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374 |
4
|
|
2016 |
| 10. |
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705 ; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677 |
| 11. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462 |
|
2015 |
| 12. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, Н. А. Бекин, А. Н. Яблонский, П. А. Юнин, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, В. Н. Шастин, “Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 15–20 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, N. A. Bekin, A. N. Yablonskii, P. A. Yunin, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, V. N. Shastin, “Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures”, Semiconductors, 49:1 (2015), 13–18 |
|
2013 |
| 13. |
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, Г. Риман, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, “Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 199–205 ; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, “Shallow-donor lasers in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 235–241 |
6
|
|
Обратная связь: