|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Уваров, В. А. Шаров, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 213–220   |
1
|
|
2021 |
| 2. |
Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364 ; D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, A. O. Monastyrenko, A. S. Gudovskikh, “Study of the influence of design features of a magnetron sputtering chamber on the electrical and optical properties of indium-tin oxide films”, Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414 |
1
|
| 3. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. О. Монастыренко, “Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 31–33 |
| 4. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, К. Ю. Шугуров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 47–50 |
1
|
| 5. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 24–27 ; A. I. Baranov, D. A. Kudriashov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. S. Gudovskikh, “Admittance spectroscopy of solar cells based on selective contact MoO$_{x}$/Si junction”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 785–788 |
3
|
| 6. |
А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 51–54 ; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 |
5
|
| 7. |
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51 ; A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “A selective BP/Si contact formed by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98 |
6
|
|
2020 |
| 8. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. A. Maksimova, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “Using MoO$_{x}$/$p$-Si selective contact for evaluation of the degradation of a near-surface region of silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
А. С. Агликов, Д. А. Кудряшов, А. М. Можаров, С. В. Макаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин, “Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов”, ЖТФ, 89:3 (2019), 460–464 ; A. S. Aglikov, D. A. Kudriashov, A. M. Mozharov, S. V. Makarov, A. D. Bolshakov, I. S. Mukhin, “Peculiarities of magnetron sputtering of nickel oxide thin films for use in perovskite solar cells”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 422–426 |
3
|
|
2018 |
| 10. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, “Precision chemical etching of GaP(NAs) epitaxial layers for the formation of monolithic optoelectronic devices”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781 |
1
|
| 11. |
В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 402–408 ; V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. O. Monastyrenko, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Formation of Cu$_{2}$O and ZnO crystal layers by magnetron assisted sputtering and their optical characterization”, Semiconductors, 52:3 (2018), 383–389 |
5
|
|
2017 |
| 12. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. В. Бабичев, А. В. Филимонов, А. М. Можаров, В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 111–115 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. V. Babichev, A. V. Filimonov, A. M. Mozharov, V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Nanoscale Cu$_2$O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies”, Semiconductors, 51:1 (2017), 110–114 |
15
|
|
2016 |
| 13. |
И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2314–2318 ; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 |
2
|
| 14. |
А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1543–1547 ; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 |
8
|
|
2015 |
| 15. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1448–1452 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, A. V. Babichev, D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, I. A. Morozov, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, “Study of multiple InAs/GaAs quantum-well structures by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404 |
3
|
| 16. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. М. Можаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин, Ж. И. Алфёров, “Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 15–23 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. M. Mozharov, A. D. Bolshakov, I. S. Mukhin, Zh. I. Alferov, “Simulation of characteristics of double-junction solar cells based on ZnSiP$_2$ heterostructures on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1120–1123 |
7
|
| 17. |
Д. В. Соснин, Д. А. Кудряшов, С. А. Гудовских, К. С. Зеленцов, “Анализ электрических и оптических свойств наноразмерных пленок легированных оксидов цинка и индия, сформированных методом ВЧ-магнетронного распыления при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 84–90 ; D. V. Sosnin, D. A. Kudriashov, S. A. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, “Electrical and optical properties of nanosized films of doped zinc and indium oxides deposited by RF magnetron sputtering at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 804–806 |
4
|
|
2014 |
| 18. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 396–401 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Design of multijunction GaPNAs/Si heterostructure solar cells by computer simulation”, Semiconductors, 48:3 (2014), 381–386 |
13
|
|
2013 |
| 19. |
И. П. Сошников, В. А. Петров, Ю. Ю. Проскуряков, Д. А. Кудряшов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, R. Treharne, K. Durose, “Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 865–868 ; I. P. Sotnikov, V. A. Petrov, Yu. Yu. Proskuryakov, D. A. Kudriashov, A. V. Nashchekin, G. È. Cirlin, R. Treharne, K. Durose, “Formation of structures with noncatalytic CdTe nanowires”, Semiconductors, 47:7 (2013), 875–878 |
3
|
|
Обратная связь: