|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Э. Я. Ярчук, А. В. Уваров, А. А. Максимова, А. С. Гудовских, “Оптические и фотоэлектрические свойства многослойных структур GaN|InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения”, Физика твердого тела, 67:12 (2025), 2390–2393  |
| 2. |
В. А. Поздеев, Е. А. Вячеславова, О. П. Михайлов, А. А. Максимова, А. С. Гудовских, А. В. Уваров, “Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов $b$-Si/PEDOT:PSS”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 286–290 |
| 3. |
О. П. Михайлов, А. И. Баранов, А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 223–226 |
| 4. |
А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 18–22  |
|
2024 |
| 5. |
А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, Э. Я. Ярчук, А. С. Гудовских, “Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2152–2154 |
| 6. |
А. В. Уваров, В. А. Поздеев, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 569–572 |
| 7. |
А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, “Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 3–6 |
|
2023 |
| 8. |
А. А. Максимова, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2198–2200 |
| 9. |
А. С. Гудовских, А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, “Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 406–413 |
| 10. |
В. А. Поздеев, А. В. Уваров, А. С. Гудовских, Е. А. Вячеславова, “Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 62–64 |
| 11. |
А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, “Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 52–55 |
| 12. |
А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. С. Гудовских, “Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 16–20 |
|
2022 |
| 13. |
А. В. Уваров, В. А. Шаров, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 213–220 |
1
|
|
2021 |
| 14. |
Н. В. Крыжановская, А. С. Драгунова, С. Д. Комаров, А. М. Надточий, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, А. В. Уваров, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы”, Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021), 218–222 ; N. V. Kryzhanovskaya, A. S. Dragunova, S. D. Komarov, A. M. Nadtochiy, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, A. V. Uvarov, V. V. Andryushkin, D. V. Denisov, E. S. Kolodeznyi, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, “Optical properties of three-dimensional InGaP(As) islands formed by substitution of fifth-group elements”, Optics and Spectroscopy, 129:2 (2021), 256–260 |
2
|
| 15. |
Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364 ; D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, A. O. Monastyrenko, A. S. Gudovskikh, “Study of the influence of design features of a magnetron sputtering chamber on the electrical and optical properties of indium-tin oxide films”, Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414 |
1
|
| 16. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. О. Монастыренко, “Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 31–33 |
| 17. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, К. Ю. Шугуров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 47–50 |
1
|
| 18. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 24–27 ; A. I. Baranov, D. A. Kudriashov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. S. Gudovskikh, “Admittance spectroscopy of solar cells based on selective contact MoO$_{x}$/Si junction”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 785–788 |
3
|
| 19. |
А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 51–54 ; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 |
5
|
| 20. |
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51 ; A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “A selective BP/Si contact formed by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98 |
6
|
|
2020 |
| 21. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. A. Maksimova, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “Using MoO$_{x}$/$p$-Si selective contact for evaluation of the degradation of a near-surface region of silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248 |
1
|
|
2019 |
| 22. |
А. В. Уваров, К. С. Зеленцов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1095–1102 ; A. V. Uvarov, K. S. Zelentsov, A. S. Gudovskikh, “Effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of GaP/Si heterostructures fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1075–1081 |
2
|
|
Обратная связь: