|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Н. Д. Ильинская, Ф. Ю. Солдатенков, А. А. Пивоварова, Р. А. Салий, Н. М. Лебедева, Р. В. Левин, В. С. Эполетов, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, “Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях”, ЖТФ, 96:2 (2026), 335–340   |
| 2. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, Д. А. Малевский, В. М. Андреев, “Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов”, ЖТФ, 96:2 (2026), 320–325 |
| 3. |
Е. И. Теруков, О. К. Атабоев, Д. А. Малевский, И. Е. Панайотти, А. В. Кочергин, И. С. Шахрай, “Исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 52:6 (2026), 27–30 |
|
2025 |
| 4. |
А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 281–285 |
| 5. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. В. Сахаров, К. С. Давыдовская, М. Е. Левинштейн, А. Е. Николаев, “Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 227–229 |
| 6. |
Р. А. Салий, А. В. Малевская, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 190–194 |
| 7. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 20–24 |
|
2024 |
| 8. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, А. А. Блохин, М. В. Нахимович, Н. Д. Ильинская, “Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов”, ЖТФ, 94:6 (2024), 888–893 |
| 9. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs”, ЖТФ, 94:4 (2024), 632–637 |
| 10. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1214–1218 |
| 11. |
Р. А. Салий, А. В. Малевская, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024), 1146–1149 |
| 12. |
А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Н. А. Калюжный, “Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 573–576 |
| 13. |
А. А. Лебедев, А. В. Сахаров, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. Е. Николаев, М. Е. Левинштейн, “Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 49–52 ; A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteǐn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435 |
3
|
| 14. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 82–84 |
| 15. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, Д. А. Малевский, “Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 22–26 |
| 16. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Д. А. Малевский, К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, “Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 44–46 |
|
2023 |
| 17. |
Н. А. Садчиков, Н. С. Потапович, Д. А. Малевский, Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, А. В. Чекалин, “Исследование концентраторных фотоэлектрических модулей с отражающими элементами вторичной оптики”, ЖТФ, 93:6 (2023), 809–816 |
| 18. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, В. М. Андреев, “Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель”, ЖТФ, 93:1 (2023), 170–174 |
3
|
| 19. |
А. А. Лебедев, Д. А. Малевский, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, “Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 743–750 |
| 20. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 53–57 |
1
|
| 21. |
Д. Ю. Березанов, В. М. Емельянов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. Р. Ларионов, “Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 69–72 |
| 22. |
Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, Д. Ю. Березанов, М. З. Шварц, “Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 56–58 |
| 23. |
М. З. Шварц, А. В. Андреева, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, С. А. Яковлев, Д. А. Малевский, “Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023), 15–19 |
|
2022 |
| 24. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, “Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 92:4 (2022), 604–607 |
| 25. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Блохин, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, “Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур”, ЖТФ, 92:1 (2022), 108–112 |
| 26. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Р. А. Кузьмин, “Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 809–813 |
| 27. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, “Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 441–445 |
| 28. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, “Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 376–379 |
| 29. |
С. О. Когновицкий, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, “Фотоприемное устройство для преобразования энергии и информации, передаваемых по атмосферному лазерному каналу”, Письма в ЖТФ, 48:19 (2022), 3–7 |
|
2021 |
| 30. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, Д. А. Малевский, “К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 915–921 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, D. A. Malevskii, “High-efficiency photovoltaic modules with solar concentrators”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 857–863  |
4
|
| 31. |
А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей”, ЖТФ, 91:2 (2021), 291–298 ; A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Measurement of the thermal characteristics of concentrator photovoltaic modules”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 280–287 |
2
|
| 32. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222 |
2
|
| 33. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1086–1090 |
| 34. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
7
|
| 35. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
8
|
| 36. |
Д. А. Малевский, А. В. Малевская, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 52–54 ; D. A. Malevskii, A. V. Malevskaya, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Dynamics of air humidity in a concentrator photovoltaic module with a drying device”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 208–210 |
1
|
| 37. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 14–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 |
3
|
|
2020 |
| 38. |
А. В. Малевская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 35–37 ; A. V. Malevskaya, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Investigation of passivating and protecting methods for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 976–978 |
1
|
| 39. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 24–26 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, “High-efficiency photoelectric units with sunlight concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 646–648 |
| 40. |
Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, А. В. Малевская, В. М. Андреев, “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 11–13 ; D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V. M. Andreev, “Control system of Sun-tracking accuracy for concentration photovoltaic installations”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 523–525 |
2
|
| 41. |
Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, В. М. Андреев, “Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 29–31 ; N. Yu. Daviduk, A. V. Andreeva, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, V. M. Andreev, “Electroinsulated heat sinks for concentrated photovoltaic solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 436–438 |
1
|
| 42. |
Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 38–40 ; N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Increasing the efficiency of concentrator photovoltaic units with focons as secondary optical concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 239–241 |
|
2019 |
| 43. |
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28 ; A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, D. A. Malevskii, V. R. Larionov, M. Z. Shvarts, “High-efficiency conversion of high-power-density laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26 |
21
|
|
2018 |
| 44. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
7
|
| 45. |
А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 390–394 ; A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, A. N. Panchak, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Influence of heat dissipation conditions on the characteristics of concentrator photoelectric modules”, Semiconductors, 52:3 (2018), 371–375 |
3
|
| 46. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, А. В. Андреева, “Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 105–110 ; V. M. Andreev, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, “Thermal characteristics of high-efficiency photovoltaic converters of high-power laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 999–1001 |
|
2016 |
| 47. |
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1374–1379 ; V. M. Andreev, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, A. V. Chekalin, “On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361 |
|
2015 |
| 48. |
В. Р. Ларионов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, “Измерительные комплексы для исследований солнечных фотоэлектрических преобразователей каскадного типа и концентраторных модулей на их основе”, ЖТФ, 85:6 (2015), 104–110 ; V. R. Larionov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, “Measuring complex for studying cascade solar photovoltaic cells and concentrator modules on their basis”, Tech. Phys., 60:6 (2015), 891–896 |
6
|
|
2014 |
| 49. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, В. Д. Румянцев, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, A. Luque, “Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства”, ЖТФ, 84:11 (2014), 72–79 ; V. M. Andreev, N. Yu. Davidyk, D. A. Malevskii, A. N. Panchak, V. D. Rumancev, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. Luque, “New-generation concentrator modules based on cascade solar cells: Design and optical and thermal properties”, Tech. Phys., 59:11 (2014), 1650–1657 |
7
|
|
2010 |
| 50. |
Н. Ю. Давидюк, Е. А. Ионова, Д. А. Малевский, В. Д. Румянцев, Н. А. Садчиков, “Исследование влияния вторичных линзовых концентраторов на выходные параметры солнечных модулей с фотоэлектрическими преобразователями каскадного типа”, ЖТФ, 80:7 (2010), 90–95 ; N. Yu. Davidyk, E. A. Ionova, D. A. Malevskii, V. D. Rumancev, N. A. Sadchikov, “Effect of secondary lens concentrators on the output parameters of solar modules with cascade photovoltaic converters”, Tech. Phys., 55:7 (2010), 1003–1008 |
4
|
|
Обратная связь: