|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. С. Пузанов, И. Ю. Забавичев, Н. Д. Абросимова, В. В. Бибикова, Е. В. Волкова, А. Д. Недошивина, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, Б. А. Логинов, Д. Ю. Блинников, В. С. Второва, Е. А. Ляшко, В. В. Кириллова, В. С. Макеев, А. Р. Первых, С. В. Оболенский, “Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 668–675   |
|
2021 |
| 2. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
|
2019 |
| 3. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1279–1284 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1249–1254 |
6
|
|
2017 |
| 4. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471 |
2
|
| 5. |
И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492 ; I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1435–1438 |
5
|
|
