|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. Г. Философов, В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. Н. Резницкий, А. Ю. Серов, И. В. Штром, И. В. Илькив, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 28–30   |
| 2. |
В. О. Гридчин, А. М. Даутов, Т. Шугабаев, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Г. П. Сотник, Д. А. Козодаев, Е. В. Пирогов, Р. Р. Резник, Д. Н. Лобанов, А. Кузнецов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, “Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Письма в ЖТФ, 51:14 (2025), 39–43 |
|
2024 |
| 3. |
А. А. Корякин, Е. В. Убыйвовк, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 27–30 |
|
2023 |
| 4. |
А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирёв, А. Н. Яблонский, А. С. Рубан, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, В. В. Данилов, “Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO”, Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023), 1403–1411 |
| 5. |
И. В. Илькив, В. В. Лендяшова, Б. Б. Бородин, В. Г. Талалаев, Т. М. Шугабаев, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 332–337 |
| 6. |
В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 32–35 |
|
2022 |
| 7. |
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li, R. Radhakrishnan, J. F. Neto, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 689–692 |
| 8. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022), 32–35 |
|
2021 |
| 9. |
И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 785–788 ; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 |
3
|
| 10. |
В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 32–35 |
2
|
| 11. |
Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 47–50 ; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 |
1
|
|
2020 |
| 12. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 128–133 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130 |
| 13. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, Г. Э. Цырлин, Е. Н. Бодунов, В. В. Данилов, “Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 122–127 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 |
9
|
| 14. |
А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 952–957 ; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 |
8
|
| 15. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 902–905 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 |
6
|
| 16. |
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 884–887 ; R. R. Reznik, V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis of morphologically developed ingan nanostructures on silicon: influence of the substrate temperature on the morphological and optical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077 |
4
|
| 17. |
V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 542 ; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 |
2
|
| 18. |
В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 32–35 ; V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 |
7
|
|
2019 |
| 19. |
А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292 ; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 |
11
|
| 20. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 48–50 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis by molecular beam epitaxy and properties of InGaN nanostructures of branched morphology on a silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1111–1113 |
6
|
| 21. |
Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40 ; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838 |
|
2018 |
| 22. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
| 23. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 |
2
|
| 24. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 |
3
|
| 25. |
R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 522 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 |
2
|
| 26. |
P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 511 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 |
6
|
| 27. |
I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 509 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604 |
| 28. |
G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 469 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 |
11
|
| 29. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
| 30. |
Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61 ; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 |
14
|
|
2017 |
| 31. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
| 32. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1525–1529 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 |
1
|
| 33. |
А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 86–94 ; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 |
24
|
|
2016 |
| 34. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 |
11
|
| 35. |
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646 ; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 |
1
|
| 36. |
Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444 ; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 |
15
|
| 37. |
А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 674–678 ; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 |
9
|
|
Обратная связь: