|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 844–847   |
|
2021 |
| 2. |
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 872–876 ; E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, O. L. Golikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, “Analysis of the effect of spacer layers on nonlinear distortions of the current–voltage characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs”, Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973 ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 |
6
|
|
