|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, В. А. Беляков, А. П. Горшков, И. В. Макарцев, А. В. Нежданов, М. В. Ревин, А. Д. Филатов, П. А. Юнин, “Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 92:10 (2022), 1582–1587   |
| 2. |
А. Д. Недошивина, И. В. Макарцев, С. В. Оболенский, “Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 618–623 |
|
2021 |
| 3. |
В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 890–894 |
|
2019 |
| 4. |
Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33 ; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 |
3
|
|
