|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, ЖТФ, 94:6 (2024), 944–947   |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, Л. А. Cокура, А. В. Соломникова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 474–477 |
|
2022 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, А. В. Соломникова, “Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si”, ЖТФ, 92:5 (2022), 720–723 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, “Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 908–911 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, “Initial stages of growth of semipolar AlN on a nanopatterned Si(100) substrate”, Semiconductors, 55:10 (2021), 812–815 |
|
2020 |
| 5. |
Е. А. Панютин, Ш. Ш. Шарофидинов, Т. А. Орлова, С. А. Сныткина, А. А. Лебедев, “Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники”, ЖТФ, 90:3 (2020), 450–455 ; E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 |
5
|
|
2019 |
| 6. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
|
2018 |
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
|
2015 |
| 8. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Т. А. Орлова, В. Н. Пантелеев, Н. К. Полетаев, С. Н. Родин, С. А. Сныткина, “Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar”, Письма в ЖТФ, 41:10 (2015), 29–34 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, T. A. Orlova, V. N. Panteleev, N. K. Poletaev, S. N. Rodin, S. A. Snytkina, “The effect of surfactants on epitaxial growth of gallium nitride from gas phase in the Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar system”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 476–478 |
1
|
|
