|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Т. А. Шоболова, В. В. Гасенин, Е. Л. Шоболов, С. В. Оболенский, “Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 693–699   |
|
2021 |
| 2. |
Т. А. Шоболова, А. С. Мокеев, С. Д. Рудаков, С. В. Оболенский, Е. Л. Шоболов, “Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 916–921 ; T. A. Shobolova, A. S. Mokeev, S. D. Rudakov, S. V. Obolensky, E. L. Shobolov, “Silicon metal–oxide–semiconductor transistor with a dependent pocket contact and two-layer polysilicon gate”, Semiconductors, 55:12 (2021), 885–890 |
|
2019 |
| 3. |
Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1391–1394 ; T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1353–1356 |
|
