|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Т. А. Шоболова, В. В. Гасенин, Е. Л. Шоболов, С. В. Оболенский, “Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 693–699   |
|
2021 |
| 2. |
Т. А. Шоболова, А. С. Мокеев, С. Д. Рудаков, С. В. Оболенский, Е. Л. Шоболов, “Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 916–921 ; T. A. Shobolova, A. S. Mokeev, S. D. Rudakov, S. V. Obolensky, E. L. Shobolov, “Silicon metal–oxide–semiconductor transistor with a dependent pocket contact and two-layer polysilicon gate”, Semiconductors, 55:12 (2021), 885–890 |
|
2020 |
| 3. |
А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула–Френкеля”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 441–445 ; A. A. Shiryaev, V. M. Vorotyntsev, E. L. Shobolov, “Prediction of the magnitude of the trapped charge in the buried oxide of silicon-on-insulator structures using the Poole–Frenkel effect”, Semiconductors, 54:5 (2020), 518–522 |
|
2018 |
| 4. |
А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 990–994 ; A. A. Shiryaev, V. M. Vorotyntsev, E. L. Shobolov, “Poole–Frenkel effect and the opportunity of its application for the prediction of radiation charge accumulation in thermal silicon dioxide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1114–1117 |
2
|
|
2015 |
| 5. |
О. П. Гуськова, В. М. Воротынцев, Н. Д. Абросимова, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, Е. Л. Шоболов, “Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO$_2$ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2106–2111 ; O. P. Gus’kova, V. M. Vorotyntsev, N. D. Abrosimova, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, E. L. Shobolov, “Formation of fluorine-containing defects and nanocrystals in SiO$_2$ upon implantation with fluorine, silicon, and germanium ions: Numerical simulation and photoluminescence spectroscopy”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2164–2169 |
|
