|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Михайлов, А. В. Трифонов, О. Ш. Султанов, И. Ю. Югова, И. В. Игнатьев, “Квантовые биения экситонов с легкими и тяжелыми дырками в спектрах отражения в квантовой яме GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 672–676   |
|
2021 |
| 2. |
Д. Ф. Мурсалимов, А. В. Михайлов, А. С. Курдюбов, А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, “Нетривиальная зависимость спектральных характеристик экситонов в квантовых ямах от мощности резонансного оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 963–968 |
|
2020 |
| 3. |
A. S. Kurdyubov, B. F. Gribakin, A. V. Mikhailov, A. V. Trifonov, Yu. P. Efimov, S. A. Eliseev, V. A. Lovtsyus, I. V. Ignatiev, “Energy spectrum in a shallow GaAs/AlGaAs quantum well probed by spectroscopy of nonradiative broadening of exciton resonances”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1261 ; Semiconductors, 54:11 (2020), 1514–1517 |
| 4. |
E. S. Khramtsov, B. F. Gribakin, A. V. Trifonov, I. V. Ignatiev, “Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1258 ; Semiconductors, 54:11 (2020), 1503–1505 |
|
2019 |
| 5. |
А. В. Трифонов, И. В. Игнатьев, К. В. Кавокин, А. В. Кавокин, П. Ю. Шапочкин, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, В. А. Ловцюс, “Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1195–1199 ; A. V. Trifonov, I. V. Ignat'ev, K. V. Kavokin, A. V. Kavokin, P. Yu. Shapochkin, Yu. P. Efimov, S. A. Eliseev, V. A. Lovtsyus, “On the suppression of electron-hole exchange interaction in a reservoir of nonradiative excitons”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1170–1174 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
А. С. Курдюбов, А. В. Трифонов, И. Я. Герловин, И. В. Игнатьев, А. В. Кавокин, “Фотоиндуцированное поглощение терагерцeвого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs”, Физика твердого тела, 59:7 (2017), 1274–1277 ; A. S. Kurdyubov, A. V. Trifonov, I. Ya. Gerlovin, I. V. Ignat'ev, A. V. Kavokin, “Photoinduced absorption of THz radiation in semi-insulating GaAs crystal”, Phys. Solid State, 59:7 (2017), 1298–1301 |
3
|
|
