Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сибирев Николай Владимирович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 35
Научных статей: 35

Статистика просмотров:
Эта страница:311
Страницы публикаций:4445
Полные тексты:2268

https://www.mathnet.ru/rus/person183361
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. Н. В. Сибирев, И. В. Штром, “Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  195–198  mathnet
2024
2. М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, С. А. Кадинская, В. М. Кондратьев, А. Д. Большаков, Н. В. Сибирев, И. В. Штром, “Проявление упорядоченной генерации в разупорядоченной среде вискеров ZnO”, Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1180–1184  mathnet  elib
2023
3. А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирёв, А. Н. Яблонский, А. С. Рубан, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, В. В. Данилов, “Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO”, Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411  mathnet  elib
2022
4. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35  mathnet  elib
2021
5. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  969–972  mathnet  elib; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. V. Fedorov, I. V. Shtrom, A. D. Bolshakov, “Parameter-free model of self-catalyzed growth of Ga(As, P) nanowires”, Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17 2
2020
6. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1117–1121  mathnet  elib; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “Crystalline-phase switching in heterostructured Ga(AsP) nanowires under the impact of elastic strains”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1320–1324
2019
7. N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2316  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2313–2315 2
8. А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Н. В. Сибирев, “Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  370–380  mathnet  elib; A. A. Koryakin, S. A. Kukushkin, N. V. Sibirev, “On the mechanism of the vapor–solid–solid growth of Au-catalyzed GaAs nanowires”, Semiconductors, 53:3 (2019), 350–360 14
9. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Роль упругих напряжений при формировании нитридных нитевидных нанокристаллов с кубической кристаллической структурой”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  39–42  mathnet  elib; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “The role of elastic stresses in the formation of nitride nanowires with cubic crystalline structure”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1050–1053 1
10. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
11. Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  38–41  mathnet  elib; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 1
2018
12. В. В. Данилов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирев, А. И. Хребтов, В. Б. Шилов, “Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  658–663  mathnet  elib; V. V. Danilov, A. S. Kulagina, N. V. Sibirev, A. I. Khrebtov, V. B. Shilov, “Photodynamics of nonlinear effects of picosecond laser action on CdSe/ZnS QDs colloidal solutions”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 716–721 1
13. Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
14. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
2017
15. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
2016
16. Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1592–1594  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, V. G. Dubrovskii, “On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568
2015
17. Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, “Влияние формы капли на кристаллическую структуру нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 41:24 (2015),  58–63  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, “The influence of liquid drop shape on crystalline structure of nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1189–1191
18. Н. В. Сибирев, “Особенности формирования гетероперехода в нитевидном нанокристалле”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  1–8  mathnet  elib; N. V. Sibirev, “Special features of heterojunction formation in whisker nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 209–212 8
2014
19. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 2
20. А. А. Корякин, Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, “Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN”, Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  45–52  mathnet  elib; A. A. Koryakin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of growth of self-induced GaN nanowires”, Tech. Phys. Lett., 40:6 (2014), 471–474 4
2013
21. А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Д. В. Безнасюк, N. Lebedeva, S. Novikov, H. Lipsanen, Г. Э. Цырлин, “Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа”, Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2118–2122  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, D. V. Beznasyuk, N. Lebedeva, S. Novikov, H. Lipsanen, G. È. Cirlin, “New method of determining the Young's Modulus of (Ga,Mn)As nanowhiskers with a scanning electron microscope”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2229–2233 1
22. Н. В. Сибирев, А. Д. Буравлев, Ю. М. Трушков, Д. В. Безнасюк, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. D. Bouravlev, Yu. M. Trushkov, D. V. Beznasyuk, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Effect of an arsenic flux on the molecular-beam epitaxy of self-catalytic (Ga,Mn)As nanowire crystals”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1416–1421 2
23. Н. В. Сибирев, “Статистика нуклеации при росте нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 39:14 (2013),  77–85  mathnet  elib; N. V. Sibirev, “Statistics of nucleation associated with the growth of whisker nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 39:7 (2013), 660–663 8
2012
24. Н. В. Сибирёв, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  857–860  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. Tchernycheva, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J. C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Effect of diffusion from a lateral surface on the rate of gan nanowire growth”, Semiconductors, 46:6 (2012), 838–841 10
25. Н. В. Сибирёв, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  41–48  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, V. G. Dubrovskii, “Wetting regime of semiconductor nanowhisker growth: Stability and shape of catalyst droplet”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 221–224 2
2011
26. М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, “Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов”, ЖТФ, 81:2 (2011),  153–156  mathnet  elib; M. V. Nazarenko, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, “Self-consistent model of nanowire growth and crystal structure with regard to the adatom diffusion”, Tech. Phys., 56:2 (2011), 311–315 3
27. Н. В. Сибирёв, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Численный анализ влияния флуктуаций на рост зародышей при фазовых переходах первого рода”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  14–23  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, V. G. Dubrovskii, “Numerical analysis of the effect of fluctuations on the growth of nuclei during first-order phase transitions”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 596–600 1
2010
28. Н. В. Сибирёв, М. А. Тимофеева, А. Д. Большаков, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Поверхностная энергия и кристаллическая структура нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V”, Физика твердого тела, 52:7 (2010),  1428–1434  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. A. Timofeeva, A. D. Bolshakov, M. V. Nazarenko, V. G. Dubrovskii, “Surface energy and crystal structure of nanowhiskers of III–V semiconductor compounds”, Phys. Solid State, 52:7 (2010), 1531–1538 87
29. Н. В. Сибирев, М. В. Назаренко, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. Г. Дубровский, “Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of growth of crystalline nanowhiskers”, Semiconductors, 44:1 (2010), 112–115 11
2009
30. Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, Е. Б. Аршанский, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов, “О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)”, ЖТФ, 79:4 (2009),  142–145  mathnet  elib; N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, E. B. Arshanskii, G. È. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, “On diffusion lengths of Ga adatoms on AlAs(111) and GaAs(111) surfaces”, Tech. Phys., 79:4 (2009), 586–589 8
31. В. Г. Дубровский, М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, “Особенности нуклеации в нанообъемах”, Письма в ЖТФ, 35:23 (2009),  96–104  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, M. V. Nazarenko, N. V. Sibirev, “Features of nucleation in nanovolumes”, Tech. Phys. Lett., 35:12 (2009), 1117–1120 5
32. В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирёв, “Влияние нуклеации на кристаллическую структуру полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 35:8 (2009),  73–80  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, “Effect of nucleation on the crystalline structure of nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 35:4 (2009), 380–383 6
2008
33. М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J.-C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Формирование гетероструктур в нитевидных нанокристаллах по диффузионному механизму”, Письма в ЖТФ, 34:17 (2008),  52–59  mathnet  elib; M. V. Nazarenko, N. V. Sibirev, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J.-C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Heterostructure formation in nanowhiskers via diffusion mechanism”, Tech. Phys. Lett., 34:9 (2008), 750–753 2
34. И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  88–94  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, D. Litvinov, D. Gerthsen, “Hexagonal structures in GaAs nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 538–541 10
35. А. Т. Галисултанов, И. А. Фёдоров, Н. В. Сибирёв, И. П. Сошников, В. Г. Дубровский, “Влияние атмосферы в ростовой камере на распределение температуры в нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 34:12 (2008),  34–41  mathnet  elib; A. T. Galisultanov, I. A. Fedorov, N. V. Sibirev, I. P. Sotnikov, V. G. Dubrovskii, “Effect of growth atmosphere on the temperature profile along a nanowhisker”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 512–515 2

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026