Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Штром Игорь Викторович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 41
Научных статей: 41

Статистика просмотров:
Эта страница:427
Страницы публикаций:9197
Полные тексты:4504
кандидат физико-математических наук (2011)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)

Научная биография:

Штром, Игорь Викторович. Оптические свойства наноструктур $A_3 B_5$ : многослойные квантовые точки, нитевидные нанокристаллы : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07; [Место защиты: С.-Петерб. гос. ун-т]. - Санкт-Петербург, 2011. - 109 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person183363
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, О. С. Комарова, И. В. Штром, “Вклад экситонов и свободных носителей в перенос энергии в квантовые ямы CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te различной толщины”, Оптика и спектроскопия, 134:3 (2026),  300–303  mathnet
2. В. Г. Дубровский, С. В. Микушев, И. В. Штром, “Теоретический анализ профилей состава в осевых гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 52:14 (2026),  20–23  mathnet
3. А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. А. Калиничев, О. С. Комарова, И. В. Штром, “Зависимость кинетики люминесценции экситонов в гетероструктуре CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te от толщины квантовых ям и температуры”, Письма в ЖТФ, 52:8 (2026),  22–25  mathnet  elib
4. В. В. Лендяшова, В. Г. Талалаев, Д. А. Кириленко, А. А. Калиничев, Т. Шугабаев, В. А. Поздеев, А. С. Андреева, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Илькив, “Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21  mathnet  elib
2025
5. А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, Л. Н. Дворецкая, И. В. Штром, А. Ю. Серов, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом”, Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939  mathnet
6. Н. Г. Философов, В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. Н. Резницкий, А. Ю. Серов, И. В. Штром, И. В. Илькив, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины”, Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30  mathnet  elib
7. В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, И. В. Штром, “Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  379–382  mathnet
8. Н. В. Сибирев, И. В. Штром, “Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  195–198  mathnet
2024
9. М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, С. А. Кадинская, В. М. Кондратьев, А. Д. Большаков, Н. В. Сибирев, И. В. Штром, “Проявление упорядоченной генерации в разупорядоченной среде вискеров ZnO”, Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1180–1184  mathnet  elib
10. М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, С. А. Кадинская, В. М. Кондратьев, А. Д. Большаков, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, Ю. Б. Самсоненко, И. В. Штром, “Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом”, Физика твердого тела, 66:1 (2024),  17–21  mathnet  elib
2023
11. В. Ф. Агекян, G. Karczewski, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, С. Ю. Вербин, И. В. Штром, “Излучение света одиночной широкой квантовой ямой CdTe в условиях сильного оптического возбуждения”, Физика твердого тела, 65:11 (2023),  2020–2023  mathnet  elib
12. В. Ф. Агекян, С. Ю. Вербин, G. Karczewski, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, И. В. Штром, “Оптические свойства гетероструктуры CdTe/CdMgTe, легированной различными способами”, Физика твердого тела, 65:2 (2023),  325–327  mathnet  elib
13. Н. Г. Философов, Г. В. Будкин, В. Ф. Агекян, G. Karczewski, А. Ю. Серов, С. Ю. Вербин, И. В. Штром, А. Н. Резницкий, “Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/CdMnTe и CdTe/CdMgTe с квантовыми ямами, разделенными широкими барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  555–558  mathnet  elib
2022
14. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35  mathnet  elib
2021
15. Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  969–972  mathnet  elib; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. V. Fedorov, I. V. Shtrom, A. D. Bolshakov, “Parameter-free model of self-catalyzed growth of Ga(As, P) nanowires”, Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17 2
2020
16. А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133  mathnet  elib; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130
17. А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 8
18. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
19. В. Г. Дубровский, И. В. Штром, “Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  15–18  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, I. V. Shtrom, “Growth kinetics of planar nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1008–1011 2
20. В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, И. В. Штром, “Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  3–6  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, I. V. Shtrom, “Free energy of nucleus formation during growth of III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 889–892 1
2019
21. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
22. Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  38–41  mathnet  elib; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 1
2018
23. Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
24. А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429  mathnet  elib; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 18
25. I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604
26. I. V. Shtrom, V. F. Agekyan, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, R. R. Akhmadullin, D. E. Krizhkov, G. Karczewski, “Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe heterostructures with monolayer manganese inclusions in ZnTe quantum wells and its behavior in a magnetic field”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  481  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 514–518 2
27. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 12
28. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
29. Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 14
2017
30. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 1
31. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 2
2016
32. И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 2
33. В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, И. В. Штром, Г. Карчевски, “Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  2034–2037  mathnet  elib; V. F. Agekyan, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, I. V. Shtrom, G. Karczewski, “Optical properties of zinc telluride with cadmium telluride submonolayers”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2109–2112 3
34. И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
35. Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
2015
36. Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79  mathnet  elib; R. V. Grigor'ev, I. V. Shtrom, N. R. Grigor'eva, B. V. Novikov, I. P. Sotnikov, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447 6
2013
37. М. Б. Смирнов, А. О. Кошкин, С. В. Карпов, Б. В. Новиков, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs”, Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141  mathnet  elib; M. B. Smirnov, A. O. Koshkin, S. V. Karpov, B. V. Novikov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Computer simulation of the structure and Raman spectra of GaAs polytypes”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1220–1230 4
38. А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, P. Werner, В. В. Данилов, М. В. Артемьев, Б. В. Новиков, И. В. Штром, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, “Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, P. Werner, V. V. Danilov, M. V. Artem'ev, B. V. Novikov, I. V. Shtrom, A. S. Panfutova, G. È. Cirlin, “Composite system based on CdSe/ZnS quantum dots and GaAs nanowires”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1346–1350 10
39. А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, D. V. Beznasyuk, E. P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, I. V. Shtrom, M. A. Timofeeva, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, G. È. Cirlin, “Photovoltaic properties of GaAs:Be nanowire arrays”, Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811 3
2011
40. С. В. Карпов, Б. В. Новиков, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$”, Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366  mathnet  elib; S. V. Karpov, B. V. Novikov, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Specific features of Raman spectra of III–V nanowhiskers”, Phys. Solid State, 53:7 (2011), 1431–1439 7
2008
41. Б. В. Новиков, Г. Г. Зегря, Р. М. Пелещак, О. О. Данькив, В. А. Гайсин, В. Г. Талалаев, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Барические свойства квантовых точек InAs”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1094–1101  mathnet  elib; B. V. Novikov, G. G. Zegrya, R. M. Peleshchak, O. O. Dan’kiv, V. A. Gaisin, V. G. Talalaev, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, “Baric properties of InAs quantum dots”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1076–1083 13

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026