|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988   |
|
2020 |
| 2. |
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 |
5
|
| 3. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Е. А. Питиримова, “Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки””, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1129–1133 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, E. A. Pitirimova, “Growth of a ge layer on a Si/SiO$_{2}$/Si (100) structure by the hot wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1332–1335 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 |
1
|
| 5. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
|
