|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, П. М. Ковалева, К. А. Кузнецов, “Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$ с ориентациями (100) и (111)А”, Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025), 221–231   |
| 2. |
Е. А. Климов, А. Н. Виниченко, И. С. Васильевский, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, И. Д. Бурлаков, “Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 141–149 |
|
2024 |
| 3. |
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50 [E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 4 (2024), S316–S325] |
1
|
|
2021 |
| 4. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
А. Н. Клочков, Е. А. Климов, П. М. Солянкин, М. Р. Конникова, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. П. Шкуринов, Г. Б. Галиев, “Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1004–1011 ; A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 |
5
|
| 6. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. А. Зайцев, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, “Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 877–884 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 |
1
|
| 7. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. А. Зайцев, А. Н. Клочков, “Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1203–1210 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 |
3
|
|
2019 |
| 8. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 258–266 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 |
2
|
|
2018 |
| 9. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Н. Клочков, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, “Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 723–728 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. N. Klochkov, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, “Ultrafast dynamics of photoexcited charge carriers in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As superlattices under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 864–869 |
5
|
| 10. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 395–401 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 |
8
|
|
2017 |
| 11. |
Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797 ; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765 |
| 12. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 |
16
|
| 13. |
Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330 ; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 |
16
|
|
2015 |
| 14. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1243–1253 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 |
5
|
| 15. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 241–248 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 |
12
|
|
2014 |
| 16. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 909–916 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 |
4
|
| 17. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 658–666 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 |
10
|
| 18. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарёв, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. П. Мальцев, “Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 67–72 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 |
1
|
|
2011 |
| 19. |
Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, В. П. Гладков, В. А. Кульбачинский, А. Н. Клочков, Н. А. Юзеева, “Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 666–671 ; R. A. Khabibullin, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, V. P. Gladkov, V. A. Kul'bachinskii, A. N. Klochkov, N. A. Yuzeeva, “Effect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 45:5 (2011), 657–662 |
21
|
|
Обратная связь: