|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, Н. Д. Прасолов, Л. И. Горай, А. Д. Буравлев, “Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов”, ЖТФ, 95:10 (2025), 1861–1869   |
| 2. |
К. А. Гаврилов, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Е. В. Пирогов, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025), 447–451 |
| 3. |
В. Ю. Аксенов, А. С. Власов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Н. В. Павлов, Е. В. Пирогов, Р. А. Салий, И. П. Сошников, А. С. Щенин, А. М. Минтаиров, “Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 130–135 |
| 4. |
В. О. Гридчин, А. М. Даутов, Т. Шугабаев, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Г. П. Сотник, Д. А. Козодаев, Е. В. Пирогов, Р. Р. Резник, Д. Н. Лобанов, А. Кузнецов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, “Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Письма в ЖТФ, 51:14 (2025), 39–43 |
| 5. |
Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. К. Кавеев, В. В. Федоров, “Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 7–10 |
|
2024 |
| 6. |
Л. И. Горай, А. С. Дашков, Н. А. Костромин, Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, В. А. Шаров, С. А. Гарахин, М. В. Зорина, Р. С. Плешков, Н. И. Чхало, А. Д. Буравлев, “Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска–исследование эффективности”, ЖТФ, 94:7 (2024), 1128–1135 |
| 7. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Пирогов, К. Ю. Шубина, Н. Д. Прасолов, М. В. Зорина, С. А. Гарахин, Р. С. Плешков, Н. И. Чхало, А. С. Дашков, Н. А. Костромин, Л. И. Горай, А. Д. Буравлев, “Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление”, ЖТФ, 94:7 (2024), 1119–1127 |
| 8. |
А. С. Власов, В. Ю. Аксенов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Д. В. Лебедев, Р. А. Салий, Е. В. Пирогов, А. М. Минтаиров, “Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024), 1127–1130 |
| 9. |
Е. И. Василькова, О. В. Баранцев, А. И. Баранов, Е. В. Пирогов, К. О. Воропаев, А. А. Васильев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, М. С. Соболев, “Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 358–364 |
|
2023 |
| 10. |
Л. И. Горай, В. А. Шаров, Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. С. Дашков, А. Д. Буравлев, “Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность”, ЖТФ, 93:7 (2023), 859–866 |
| 11. |
В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 32–35 |
|
2022 |
| 12. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. В. Нащекин, В. А. Шаров, Л. И. Горай, “Оптимизация технологии изготовления дифракционных Si-решеток треугольного профиля для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения”, ЖТФ, 92:8 (2022), 1192–1198 |
2
|
| 13. |
А. В. Бабичев, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Д. В. Денисов, Н. А. Фоминых, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, И. А. Мельниченко, П. А. Юнин, В. Н. Неведомский, М. В. Токарев, Б. Я. Бер, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1002–1010 |
| 14. |
Л. И. Горай, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. А. Шаров, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. С. Дашков, А. В. Нащекин, М. В. Зорина, М. М. Барышева, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, Н. И. Чхало, “Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках”, Квантовая электроника, 52:10 (2022), 955–962 [L. I. Goray, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. A. Sharov, K. Yu. Shubina, E. V. Pirogov, A. S. Dashkov, A. V. Nashchekin, M. V. Zorina, M. M. Barysheva, S. A. Garakhin, S. Yu. Zuev, N. I. Chkhalo, “Fabrication and testing of Au- and multilayer Mo/Si-coated diffraction gratings with high-order brilliance in high orders in the soft X-ray and EUV ranges”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S250–S261] |
3
|
|
2021 |
| 15. |
Л. И. Горай, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. А. Шаров, К. Ю. Шубина, Е. В. Пирогов, А. С. Дашков, “Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1538–1547 |
3
|
| 16. |
А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080 |
| 17. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. В. Свечников, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, Л. Г. Герчиков, Е. В. Никитина, А. С. Дашков, М. М. Борисов, С. Н. Якунин, А. Д. Буравлев, “Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 7–10 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, L. G. Gerchikov, E. V. Nikitina, A. S. Dashkov, M. M. Borisov, S. N. Yakunin, A. D. Bouravlev, “High-precision characterization of super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices using X-ray reflectometry on a synchrotron source”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 757–760 |
7
|
|
2020 |
| 18. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, А. С. Дашков, М. В. Свечников, А. Д. Буравлев, “Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1906–1912 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, A. S. Dashkov, M. V. Svechnikov, A. D. Bouravlev, “Deep X-ray reflectometry of supermultiperiod A$_3$B$_5$ structures with quantum wells grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1822–1827 |
8
|
|
2017 |
| 19. |
Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102 ; E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 |
1
|
|
2016 |
| 20. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
| 21. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “The influence of an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286 |
3
|
|
2015 |
| 22. |
М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 569–572 ; M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562 |
22
|
| 23. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров, “Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 489–493 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov, “Photoluminescence of heterostructures with GaP$_{1-x}$N$_x$ and GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$ layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:4 (2015), 479–482 |
7
|
|
2014 |
| 24. |
А. Ю. Егоров, П. Н. Брунков, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, С. Г. Конников, “Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1640–1645 ; A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 |
8
|
| 25. |
А. В. Бабичев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 518–522 ; A. V. Babichev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Ultra-wide electroluminescence spectrum of LED heterostructures based on GaPAsN semiconductor alloys”, Semiconductors, 48:4 (2014), 501–504 |
8
|
| 26. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 407–411 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Molecular beam epitaxy of GaPN, GaPAsN, and InGaPN nitride solid solutions”, Semiconductors, 48:3 (2014), 392–396 |
7
|
|
2013 |
| 27. |
Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, А. Ю. Егоров, “Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013), 81–87 ; E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Dependence of the hybridization parameter on nitrogen molar fraction in nitrogen-containing GaPN solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1114–1116 |
|
2010 |
| 28. |
А. Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, Е. В. Никитина, Д. В. Денисов, Н. К. Поляков, Е. В. Пирогов, А. А. Горбацевич, “Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 950–954 ; A. Yu. Egorov, A. G. Gladyshev, E. V. Nikitina, D. V. Denisov, N. K. Polyakov, E. V. Pirogov, A. A. Gorbatsevich, “Double pulse doped InGaAs/AlGaAs/GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistor heterostructures”, Semiconductors, 44:7 (2010), 919–923 |
5
|
| 29. |
О. И. Румянцев, П. Н. Брунков, Е. В. Пирогов, А. Ю. Егоров, “Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 923–927 ; O. I. Rumyantsev, P. N. Brunkov, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Study of defects in heterostructures with GaPAsN and GaPN quantum wells in the GaP matrix”, Semiconductors, 44:7 (2010), 893–897 |
9
|
| 30. |
А. Ю. Егоров, Н. В. Крыжановская, Е. В. Пирогов, М. М. Павлов, “Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 886–890 ; A. Yu. Egorov, N. V. Kryzhanovskaya, E. V. Pirogov, M. M. Pavlov, “Optical properties of quaternary GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$ semiconductor alloys”, Semiconductors, 44:7 (2010), 857–860 |
4
|
|
Обратная связь: