|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
П. В. Середин, А. М. Мизеров, Н. А. Курило, С. А. Кукушкин, Д. Л. Голощапов, Н. С. Буйлов, А. С. Леньшин, Д. Н. Нестеров, М. С. Соболев, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, “Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности”, ЖТФ, 94:1 (2024), 138–150   |
| 2. |
Е. И. Василькова, О. В. Баранцев, А. И. Баранов, Е. В. Пирогов, К. О. Воропаев, А. А. Васильев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, М. С. Соболев, “Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 358–364 |
|
2022 |
| 3. |
А. В. Бабичев, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Д. В. Денисов, Н. А. Фоминых, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, И. А. Мельниченко, П. А. Юнин, В. Н. Неведомский, М. В. Токарев, Б. Я. Бер, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 1002–1010 |
| 4. |
С. Н. Тимошнев, Г. В. Бенеманская, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, Я. Б. Эннс, “Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 961–965 |
|
2021 |
| 5. |
А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080 |
| 6. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. В. Свечников, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, Л. Г. Герчиков, Е. В. Никитина, А. С. Дашков, М. М. Борисов, С. Н. Якунин, А. Д. Буравлев, “Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 7–10 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, L. G. Gerchikov, E. V. Nikitina, A. S. Dashkov, M. M. Borisov, S. N. Yakunin, A. D. Bouravlev, “High-precision characterization of super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices using X-ray reflectometry on a synchrotron source”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 757–760 |
7
|
|
2020 |
| 7. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, А. С. Дашков, М. В. Свечников, А. Д. Буравлев, “Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1906–1912 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, A. S. Dashkov, M. V. Svechnikov, A. D. Bouravlev, “Deep X-ray reflectometry of supermultiperiod A$_3$B$_5$ structures with quantum wells grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1822–1827 |
7
|
|
2019 |
| 8. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
5
|
| 9. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
|
2018 |
| 10. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
18
|
| 11. |
Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 524 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 |
5
|
|
2017 |
| 12. |
Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102 ; E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 |
1
|
|
2016 |
| 13. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
| 14. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “The influence of an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286 |
3
|
|
2015 |
| 15. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1448–1452 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, A. V. Babichev, D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, I. A. Morozov, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, “Study of multiple InAs/GaAs quantum-well structures by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404 |
2
|
| 16. |
М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 569–572 ; M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562 |
22
|
| 17. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров, “Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 489–493 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov, “Photoluminescence of heterostructures with GaP$_{1-x}$N$_x$ and GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$ layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:4 (2015), 479–482 |
7
|
|
2014 |
| 18. |
А. Ю. Егоров, П. Н. Брунков, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, С. Г. Конников, “Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1640–1645 ; A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 |
8
|
| 19. |
А. В. Бабичев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 518–522 ; A. V. Babichev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Ultra-wide electroluminescence spectrum of LED heterostructures based on GaPAsN semiconductor alloys”, Semiconductors, 48:4 (2014), 501–504 |
8
|
| 20. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 407–411 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Molecular beam epitaxy of GaPN, GaPAsN, and InGaPN nitride solid solutions”, Semiconductors, 48:3 (2014), 392–396 |
7
|
|
2013 |
| 21. |
Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, А. Ю. Егоров, “Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013), 81–87 ; E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Dependence of the hybridization parameter on nitrogen molar fraction in nitrogen-containing GaPN solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1114–1116 |
|
2012 |
| 22. |
А. В. Бабичев, В. Ю. Бутко, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 815–819 ; A. V. Babichev, V. Yu. Butko, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “Electroluminescence of GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ nanoheterostructures through a transparent electrode made of CVD graphene”, Semiconductors, 46:6 (2012), 796–800 |
8
|
|
Обратная связь: