|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. В. Малибашев, А. Д. Степченко, А. Н. Заиченко, “Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 302–305  |
|
2023 |
| 2. |
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. Н. Заиченко, А. В. Малибашев, И. В. Гаврус, А. А. Минцев, А. А. Скиданов, “Создание однородного поля температурного градиента для реализации метода термомиграции в кремнии”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2051–2054  |
|
2021 |
| 3. |
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, И. Л. Шульпина, “Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga”, ЖТФ, 91:3 (2021), 467–474 ; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, I. L. Shul'pina, “The formation and structure of thermomigration silicon channels doped with Ga”, Tech. Phys., 66:3 (2021), 453–460  |
7
|
|
2020 |
| 4. |
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, С. Г. Симакин, И. Л. Шульпина, “Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 27–30 ; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, S. G. Simakin, I. L. Shul'pina, “Structural perfection and composition of gallium-doped thermomigration silicon layers”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 279–282 |
4
|
|
