|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
К. А. Исмайлов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, Е. Ж. Косбергенов, Б. К. Исмайлов, “Радиационная стойкость кремниевых солнечных элементов, легированных никелем”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 519–521   |
| 2. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, К. С. Аюпов, Е. Ж. Косбергенов, “Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 128–133 |
1
|
|
2021 |
| 3. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, Х. С. Турекеев, Б. О. Исаков, А. А. Усмонов, “Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1685–1688 |
1
|
| 4. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, “Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов”, ЖТФ, 91:6 (2021), 981–986 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Z. T. Kenzhaev, “Optimal conditions for nickel doping to improve the efficiency of silicon photoelectric cells”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 851–856  |
10
|
|
2019 |
| 5. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, “Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 3–6 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Z. T. Kenzhaev, S. V. Koveshnikov, “Studying the effect of doping with nickel on silicon-based solar cells with a deep $p$–$n$-junction”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 959–962 |
10
|
|
