|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. К. Бакаров, М. А. Суханов, А. С. Ярошевич, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 33–36   |
|
2023 |
| 2. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, “Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023), 138–144 |
| 3. |
М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. А. Макеева, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 27–30 |
|
2021 |
| 4. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 37–39 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, “AlSb/InAs heterostructures for microwave transistors”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 3–6 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 |
3
|
|
