|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. К. Чумаков, А. А. Андреев, И. В. Белов, Б. В. Гончаров, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, А. Б. Давыдов, М. Л. Занавескин, Е. М. Колобкова, Л. А. Моргун, С. Н. Николаев, К. Е. Приходько, И. А. Черных, С. Ю. Шабанов, В. Г. Валеев, “Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 91–96  |
|
2024 |
| 2. |
Н. К. Чумаков, А. А. Андреев, И. В. Белов, А. Б. Давыдов, И. С. Езубченко, Л. Л. Лев, Л. А. Моргун, С. Н. Николаев, И. А. Черных, С. Ю. Шабанов, В. Н. Строков, В. Г. Валеев, “Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024), 598–603 ; N. K. Chumakov, A. A. Andreev, I. V. Belov, A. B. Davydov, I. S. Ezubchenko, L. L. Lev, L. A. Morgun, S. N. Nikolaev, I. A. Chernykh, S. Yu. Shabanov, V. N. Strokov, V. G. Valeyev, “Magnetoresistance and symmetry of a two-dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN heterostructures”, JETP Letters, 119:8 (2024), 604–609 |
|
2022 |
| 3. |
И. С. Езубченко, М. Я. Черных, И. А. Черных, А. А. Андреев, И. О. Майборода, Е. М. Колобкова, Ю. В. Храповицкая, Ю. В. Грищенко, П. А. Перминов, М. Л. Занавескин, “Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 48:7 (2022), 20–22  |
|
2021 |
| 4. |
И. С. Езубченко, М. Я. Черных, П. А. Перминов, Ю. В. Грищенко, И. Н. Трунькин, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 26–29 ; I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, P. A. Perminov, Yu. V. Grishchenko, I. N. Trunkin, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Gan-on-silicon growth features: controlled plastic deformation”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 705–708 |
| 5. |
И. О. Майборода, И. А. Черных, В. С. Седов, А. С. Алтахов, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, Е. М. Колобкова, А. К. Мартьянов, В. И. Конов, М. Л. Занавескин, “Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16 ; I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, V. S. Sedov, A. Altakhov, A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, E. M. Kolobkova, A. K. Martyanov, V. I. Konov, M. L. Zanaveskin, “Substrates with diamond heat sink for epitaxial GaN growth”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356 |
|
2020 |
| 6. |
Н. К. Чумаков, И. А. Черных, А. Б. Давыдов, И. С. Езубченко, Ю. В. Грищенко, Л. Л. Лев, И. О. Майборода, Л. А. Моргун, В. Н. Строков, В. Г. Валеев, М. Л. Занавескин, “Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 962–967 ; N. K. Chumakov, I. A. Chernykh, A. B. Davydov, I. S. Ezubchenko, Yu. V. Grishchenko, L. L. Lev, I. O. Mayboroda, L. A. Morgun, V. N. Strokov, V. G. Valeev, M. L. Zanaveskin, “Quantum coherence and the Kondo effect in the 2D electron gas of magnetically undoped AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor heterostructures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1150–1154 |
| 7. |
И. А. Черных, С. М. Романовский, А. А. Андреев, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Ю. В. Грищенко, И. О. Майборода, С. В. Корнеев, М. М. Крымко, М. Л. Занавескин, В. Ф. Синкевич, “Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 11–14 ; I. A. Chernykh, S. M. Romanovskiy, A. A. Andreev, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, Yu. V. Grishchenko, I. O. Mayboroda, S. V. Korneev, M. M. Krymko, M. L. Zanaveskin, V. Ph. Sinkevich, “Power characteristics of GaN microwave transistors on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 211–214 |
1
|
|
2019 |
| 8. |
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, Э. Ф. Лобанович, “Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 38–40 ; A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, È. F. Lobanovich, “Ohmic contacts to europium oxide for spintronic devices”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 345–347 |
| 9. |
И. В. Куликов, М. Я. Черных, Т. С. Крылова, А. В. Овчаров, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 18–20 ; I. V. Kulikov, M. Y. Chernykh, T. S. Krylova, A. V. Ovcharov, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “A superconducting joint for 2G HTS tapes”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 324–326 |
8
|
| 10. |
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54 ; A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Studying the characteristics of transistors based on gallium nitride heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy on sapphire and silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175 |
3
|
|
2018 |
| 11. |
И. О. Майборода, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, И. С. Соколов, И. А. Черных, А. А. Андреев, М. Л. Занавескин, “Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 630–636 ; I. O. Mayboroda, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, I. S. Sokolov, I. A. Chernykh, A. A. Andreev, M. L. Zanaveskin, “Tunneling current in oppositely connected Schottky diodes formed by contacts between degenerate $n$-GaN and a metal”, Semiconductors, 52:6 (2018), 776–782 |
|
2014 |
| 12. |
М. Я. Черных, И. А. Черных, Т. С. Крылова, Р. И. Шайнуров, Е. П. Красноперов, М. Л. Занавескин, “Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014), 47–53 ; M. Ya. Chernykh, I. A. Chernykh, T. S. Krylova, R. I. Shaynurov, E. P. Krasnoperov, M. L. Zanaveskin, “Developing an approach based on the formation of YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–interlayer–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ epitaxial structures with high current-carrying ability”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 905–908 |
8
|
| 13. |
И. А. Черных, А. М. Строев, М. Я. Гараева, Т. С. Крылова, В. В. Гурьев, С. В. Шавкин, М. Л. Занавескин, А. К. Шиков, “Исследование влияния кислородного индекса мишени на критические характеристики эпитаксиальных слоев YBa$_2$Cu$_3$O$_x$, сформированных методом импульсного лазерного осаждения”, Письма в ЖТФ, 40:1 (2014), 58–63 ; I. A. Chernykh, A. M. Stroev, M. Ya. Garaeva, T. S. Krylova, V. V. Gur'ev, S. V. Shavkin, M. L. Zanaveskin, A. K. Shikov, “A study of the effect of the oxygen index of the target on the critical characteristics of YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ epitaxial layers formed by pulsed laser deposition”, Tech. Phys. Lett., 40:1 (2014), 29–31 |
2
|
|
2012 |
| 14. |
И. А. Черных, А. М. Строев, Л. В. Клевалина, М. Ю. Пресняков, Е. А. Головкова, С. А. Тихомиров, М. Л. Занавескин, А. Н. Марченков, А. К. Шиков, “Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения”, Письма в ЖТФ, 38:18 (2012), 53–59 ; I. A. Chernykh, A. M. Stroev, L. V. Klevalina, M. Yu. Presniakov, E. A. Golovkova, S. A. Tikhomirov, M. L. Zanaveskin, A. N. Marchenkov, A. K. Shikov, “Seed layers on RABiTS tapes for Second-Generation HTS wires”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 849–852 |
2
|
|
