|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. К. Чумаков, А. А. Андреев, И. В. Белов, Б. В. Гончаров, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, А. Б. Давыдов, М. Л. Занавескин, Е. М. Колобкова, Л. А. Моргун, С. Н. Николаев, К. Е. Приходько, И. А. Черных, С. Ю. Шабанов, В. Г. Валеев, “Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 91–96  |
|
2022 |
| 2. |
И. С. Езубченко, М. Я. Черных, И. А. Черных, А. А. Андреев, И. О. Майборода, Е. М. Колобкова, Ю. В. Храповицкая, Ю. В. Грищенко, П. А. Перминов, М. Л. Занавескин, “Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 48:7 (2022), 20–22  |
|
2021 |
| 3. |
И. О. Майборода, И. А. Черных, В. С. Седов, А. С. Алтахов, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, Е. М. Колобкова, А. К. Мартьянов, В. И. Конов, М. Л. Занавескин, “Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16 ; I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, V. S. Sedov, A. Altakhov, A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, E. M. Kolobkova, A. K. Martyanov, V. I. Konov, M. L. Zanaveskin, “Substrates with diamond heat sink for epitaxial GaN growth”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356 |
|
2019 |
| 4. |
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54 ; A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Studying the characteristics of transistors based on gallium nitride heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy on sapphire and silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175 |
3
|
|
