|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. С. Кривобок, Г. Н. Ерошенко, А. В. Муратов, С. Н. Николаев, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, К. А. Савин, Д. А. Пашкеев, А. Р. Дубовая, Ю. А. Алещенко, С. И. Ченцов, “Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 354–358  ; V. S. Krivobok, G. N. Eroshenko, A. V. Muratov, S. N. Nikolaev, A. V. Klekovkin, I. I. Minaev, K. A. Savin, D. A. Pashkeev, A. R. Dubovaya, Yu. A. Aleshchenko, S. I. Chentsov, “One-electron spectrum of a short-period InAs/GaSb superlattice with interface compensation of strains”, JETP Letters, 120:5 (2024), 341–345 |
1
|
| 2. |
К. А. Савин, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, Г. Н. Ерошенко, В. С. Кривобок, Д. Е. Свиридов, А. Е. Гончаров, С. Н. Николаев, “Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 33–35  |
|
2022 |
| 3. |
Е. В. Кузьмин, А. В. Клековкин, “Особенности структурирования и абляции тонких пленок титана фемтосекундными лазерными импульсами”, Оптика и спектроскопия, 130:4 (2022), 517–521 |
|
2021 |
| 4. |
В. А. Беспалов, Э. А. Ильичёв, И. П. Казаков, Г. А. Кирпиленко, А. И. Козлитин, П. В. Минаков, В. В. Сарайкин, А. В. Клековкин, С. В. Куклев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, Д. С. Соколов, Е. Г. Теверовская, “Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 3–6 ; V. A. Bespalov, E. A. Il'ichev, I. P. Kazakov, G. A. Kirpilenko, A. I. Kozlitin, P. V. Minakov, V. V. Saraikin, A. V. Klekovkin, S. V. Kuklev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, D. S. Sokolov, E. G. Teverovskaya, “Characteristics of solar-blind electron-optical converters with diamond photocathodes”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 432–435 |
1
|
| 5. |
В. С. Кривобок, А. Д. Кондорский, Д. А. Пашкеев, Е. А. Екимов, А. Д. Шабрин, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, М. А. Чернопицский, А. В. Клековкин, П. А. Форш, “Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36 ; V. S. Krivobok, A. D. Kondorskiy, D. A. Pashkeev, E. A. Ekimov, A. D. Shabrin, D. A. Litvinov, L. N. Grigor'eva, S. A. Kolosov, M. A. Chernopitskii, A. V. Klekovkin, P. A. Forsh, “A hybrid mid-IR photodetector based on semiconductor quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 388–391 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
Д. Н. Слаповский, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, А. В. Клековкин, “Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 461–466 ; D. N. Slapovskiy, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, A. V. Klekovkin, “Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures”, Semiconductors, 51:4 (2017), 438–443 |
2
|
|
2016 |
| 7. |
В. П. Мартовицкий, Ю. Г. Садофьев, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин, И. С. Васильевский, “Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1570–1575 ; V. P. Martovitskii, Yu. G. Sadof'ev, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1548–1553 |
|
2015 |
| 8. |
Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин, И. С. Васильевский, “Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1612–1618 ; Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, A. V. Klekovkin, V. V. Saraikin, I. S. Vasil'evskii, “Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1564–1570 |
4
|
| 9. |
Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, М. А. Базалевский, А. В. Клековкин, Д. В. Аверьянов, И. С. Васильевский, “Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 128–133 ; Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, M. A. Bazalevsky, A. V. Klekovkin, D. V. Averyanov, I. S. Vasil'evskii, “Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:1 (2015), 124–129 |
11
|
|
